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J-GLOBAL ID：201802251333382259   整理番号：18A0633321

分極接合基板のAlGaN/GaN界面における界面準位

著者 (9件)： 星井拓也 (東京工大) ,  高山留美 (東京工大) ,  鶴田脩真 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (九大) ,  大橋弘通 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.19p-C302-17  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  界面 ,  表面準位 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分極 ,  AlGaN ,  GaN ,  界面 ,  界面準位