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J-GLOBAL ID：201802251927645761   整理番号：18A2218089

水素化非晶質炭素膜の耐食性に及ぼすSi混入の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Si incorporation on corrosion resistance of hydrogenated amorphous carbon film

著者 (6件)： Nishikawa Jumpei (Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan) ,  Sugihara Naoki (Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan) ,  Nakano Masayuki (Department of Chemical Science and Engineering, National Institute of Technology, Tokyo College, 1220-2 Kunugida, Hachioji, Tokyo 193-0997, Japan) ,  Hieda Junko (Department of Chemical Systems Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Ohtake Naoto (Laboratory for Future Interdisciplinary Research of Science and Technology (FIRST), Institute of Innovative Research (IIR), Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama, Kanagawa 226-8503, Japan) ,  Akasaka Hiroki (Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 90  ページ： 207-213  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質炭素(a-C:H)の化学的耐食性に及ぼすケイ素(Si)添加の影響を調べた。水素化非晶質炭素とSiを取り込んだa-C:H(a-C:H:Si)膜を,ソース材料としてC_2H_2とテトラメチルシランを用いてプラズマ増強化学蒸着によって蒸着した。HNO_3とNaOH溶液中のこれらの膜のエッチング速度を表面プラズモン共鳴を用いて評価した。NaOH溶液中でのエッチング速度の評価から,a-C:H膜上にエッチングは起こらないが,a-C:H:Si膜はNaOH溶液によりエッチングされることが分かった。これらの結果から,硝酸中でのa-C:Hとa-C:H:Si膜の腐食はsp2ハイブリッド結合炭素の酸化により進行する。また,a-C:H膜へのSi取り込みは,sp2ハイブリッド結合炭素の比率を減少させることによって,耐食性を改善した。a-C:H膜へのSi取り込みは,SiO_x構造の形成によるHNO_3溶液中の腐食に対するそれらのロバスト性を改善したが,NaOH溶液に対する耐食性を低下させた。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  *非晶質 ,  *ケイ素 ,  *水素化 ,  硝酸 ,  プラズマCVD ,  *耐食性 ,  一酸化ケイ素 ,  表面プラズモン共鳴法 ,  *アモルファスカーボン ,  *炭素膜
準シソーラス用語： エッチング速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： テトラメチルシラン

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素化 ,  非晶質 ,  炭素膜 ,  耐食性 ,  Si ,  混入