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J-GLOBAL ID：201802255471825346   整理番号：18A0128562

ストレスセンシング応用のための結晶学的配向に対するn型3C-SiC(100)とその依存性の大きい擬似H all効果【Powered by NICT】

A large pseudo-Hall effect in n-type 3C-SiC(100) and its dependence on crystallographic orientation for stress sensing applications

著者 (6件)： Qamar Afzaal (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA) ,  Dinh Toan (Queensland Micro- and Nanotechnology Centre, Griffith University, Queensland, Australia) ,  Jafari Mohsen (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA) ,  Iacopi Alan (Queensland Micro- and Nanotechnology Centre, Griffith University, Queensland, Australia) ,  Dimitrijev Sima (Queensland Micro- and Nanotechnology Centre, Griffith University, Queensland, Australia) ,  Dao Dzung Viet (Queensland Micro- and Nanotechnology Centre, Griffith University, Queensland, Australia)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 213  ページ： 11-14  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低キャリア濃度を持つn型単結晶3C-SiC(100)における擬似H all効果を調べた。低圧化学蒸着を単結晶n型3C-SiC(100)を成長させるために使用し,H all素子はフォトリソグラフィーとドライエッチングプロセスにより作製した。結晶学的方位に強い依存性を示した成長させた薄膜で観察された大きな擬H all効果。低キャリア濃度をもつN型3C-SiC(100)はp型3C-SiC(100)と比較して,擬似H all測定の完全に異なる挙動を示した。p型とは対照的に,効果が[100]結晶学的方向に沿って最大と[110]方向に沿って最小であった。さらに,観察された擬H all効果である高感度マイクロメカニカルセンサを設計するための低キャリア濃度より適切な材料を持つn型3C-SiC(100)を同じプロセスによって成長させた高いキャリア濃度をもつp型より50%大きかった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *結晶方位 ,  高感度 ,  *結晶学 ,  キャリア密度 ,  単結晶 ,  LPCVD ,  薄膜 ,  フォトリソグラフィー ,  *炭化ケイ素

著者キーワード (3件)： 擬H all効果 ,  3C-SiC ,  圧抵抗効果

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： ストレス ,  センシング ,  応用 ,  結晶学的配向 ,  3C-SiC ,  依存性 ,  擬似 ,  ALL