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J-GLOBAL ID：201802255998532148   整理番号：18A0076017

デバイスシミュレーションを用いたタイプII InAs/GaSb超格子中間波長赤外p-i-n光検出器の解析【Powered by NICT】

Analysis of type-II InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infrared p-i-n photodetector using device simulation

著者 (4件)： Le thi Yen. (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Kamakura Yoshinari (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Etoh Takeharu Goji (Graduate School of Sci. and Eng., 1-1-1 Noji-higashi, Ritsumeikan University, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Mori Nobuya (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICDV  ページ： 117-120  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 赤外(IR)光検出器のような感光性デバイスのためには,信号対雑音比と責任の減少を引き起こすために暗電流は性能を制限する重要な機構である。本研究の主目的は,特に暗電流特性に焦点を当てたデバイスシミュレータを用いたInAs/GaSbタイプII超格子(SL)赤外検出器の電気的性能を理解し,解析することである。状態の有効密度などの物理パラメータを,k・pバンド計算から抽出し,ドリフト-拡散模型に基づく二次元デバイスシミュレータに含まれている。シミュレーション結果は,IR光検出器の漏れ電流は真性キャリア密度の差によるが,類似のカットオフ波長でもSL厚さ比に依存することを示した。InAsリッチSL検出器をGaSbリッチのものより小さい暗電流を示し,これは以前に報告された実験データと定性的に一致した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  *検出器 ,  *波長 ,  *ヒ化インジウム ,  SN比 ,  暗電流 ,  二次元 ,  *光検出器 ,  *超格子 ,  漏れ電流 ,  *シミュレーション ,  *アンチモン化ガリウム ,  赤外検出器
準シソーラス用語： デバイスシミュレータ ,  *デバイスシミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： デバイスシミュレーション ,  タイプ ,  InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  赤外 ,  光検出器 ,  解析