文献

J-GLOBAL ID：201802256225670905   整理番号：18A1300157

三色超構造を持つSi基板上の高kおよびSiO_2スタックにおける双極子特性の制御【JST・京大機械翻訳】

Control of dipole properties in high-k and SiO₂ stacks on Si substrates with tricolor superstructure

著者 (15件)： Hotta Yasushi (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Hyogo, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan) ,  Kawayama Iwao (Institute of Laser Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Miyake Shozo (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Hyogo, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan) ,  Saiki Ikuya (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Hyogo, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan) ,  Nishi Shintaro (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Hyogo, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan) ,  Yamahara Kota (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Hyogo, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan) ,  Arafune Koji (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Hyogo, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan) ,  Yoshida Haruhiko (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Hyogo, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan) ,  Satoh Shin-ichi (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Hyogo, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan) ,  Sawamoto Naomi (School of Science and Technology, Meiji University, Kawasaki, Kanagawa 214-8571, Japan) ,  Ogura Atsushi (School of Science and Technology, Meiji University, Kawasaki, Kanagawa 214-8571, Japan) ,  Ito Akira (SCREEN Holdings Co. Ltd., Kyoto, Kyoto 612-8486, Japan) ,  Nakanishi Hidetoshi (SCREEN Holdings Co. Ltd., Kyoto, Kyoto 612-8486, Japan) ,  Tonouchi Masayoshi (Institute of Laser Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Tabata Hitoshi (Department of Electric Engineering, University of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 1  ページ： 012103-012103-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2種類の高誘電率(高k)層(HK1とHK2)とSiO2層を含む三層積層構造である三色超構造(TCS)の概念を提案し,高κ/SiO_2界面で誘起される界面双極子層のモーメントと極性を制御した。界面双極子層は,より高い酸素面密度(σ)を持つ層からより低いσを持つ層への酸素イオン移動によって形成される。SiO_2/HK2/HK1/SiO_2TCSにおいて,σ_HK1>σ_SiO2>σ_HK2の順に2つの高k材料を選択したとき,SiO_2/HK2とHK1/SiO_2界面における界面双極子層の双極子方向は整列した。さらに,転移したSiO_2/HK1/HK2/SiO_2TCSにおいて,全極性は逆転した。それらがσ_2O_3>σ_SiO2>σ_Y2O3の順序を提供するので,この概念をAl_2O_3とY_2O_3層を用いて実証した。パルスレーザ蒸着による超格子法を用いて作製したSiO_2/Y_2O_3/Al_2O_3/SiO_2およびSiO_2/Al_2O_3/Y_2O_3/SiO_2から成る2つの積層配列試料は明らかに反対の双極子極性を示した。堆積したTCSユニットの繰返しの増加も,双極子モーメントを系統的に増加させる。TCS技術は,非晶質系における高κ/SiO_2界面における界面双極子層の特性の制御を可能にした。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,  超格子 ,  極性 ,  *双極子 ,  双極子モーメント ,  積層構造 ,  パルスレーザ蒸着 ,  界面 ,  モーメント ,  非晶質
準シソーラス用語： 酸素イオン ,  界面双極子 ,  *一酸化ケイ素 ,  *シリコンウエハ ,  *超構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 超構造 ,  Si基板 ,  スタック ,  双極子