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J-GLOBAL ID：201802256243529972   整理番号：18A1940160

低圧化学蒸着(LPCVD)を用いた高品質ドープ多結晶シリコン【JST・京大機械翻訳】

High-Quality Doped Polycrystalline Silicon Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)

著者 (7件)： Padhamnath Pradeep (Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574) ,  Nandakumar Naomi (Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574) ,  Kitz Buatis Jammaal (Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574) ,  Balaji Nagarajan (Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574) ,  Naval Marvic-John (Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574) ,  Shanmugam Vinodh (Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574) ,  Duttagupta Shubham (Solar Energy Research Institute of Singapore, National University of Singapore, Singapore 117574)
資料名： Energy Procedia  (Energy Procedia)
巻： 150  ページ： 9-14  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3520A  ISSN： 1876-6102  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,不動態化接触太陽電池に使用するためのin situ成長界面酸化ケイ素(IOX)上のn+およびp+ドープ多結晶シリコン(poly-Si)層の解析を示した。ポリSiとIOXの両方を,工業的低圧化学蒸着(LPCVD)管炉を用いて堆積した。この層を平面Czochralski成長シリコン(Cz-Si)ウエハ上に堆積し,堆積したままとドープした条件におけるそれらの厚さを解析した。高温焼成後の適切なキャッピング層によるn+とp+ドーピングの後に顕著な表面不動態化を実証した。1x10~15cm-3の過剰キャリア密度で15ms(n+poly-Si)と3.1ms(p+poly-Si)の高いτeffを得た。iV_oc値(1太陽で)は,745mV(n+poly-Si)と730mV(p+poly-Si)の範囲にあり,1.4fA/cm2(n+poly-Si)と7fA/cm2(p+poly-Si)の超低J_0値を得た。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  *ドーピング ,  太陽電池 ,  不動態化 ,  *LPCVD ,  太陽 ,  過剰キャリア ,  高温 ,  界面 ,  酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  表面不動態化 ,  キャップ層 ,  *高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 不動態化接触SOALR細胞 ,  モノポーラTM ,  高効率化

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低圧化学蒸着 ,  LPCVD ,  高品質 ,  ドープ ,  多結晶シリコン