文献

J-GLOBAL ID：201802256416691647   整理番号：18A1212411

フリップチップ技術を用いた蛍光体フリーInGaN白色発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Phosphor-Free InGaN White Light Emitting Diodes Using Flip-Chip Technology

著者 (12件)： Li Ying-Chang (Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan) ,  Chang Liann-Be (Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan) ,  Chang Liann-Be (Department of Otolaryngology-Head and Neck Surgery, Chang Gung Memorial Hospital, Taoyuan 333, Taiwan) ,  Chang Liann-Be (Department of Materials Engineering, Ming Chi University of Technology, New Taipei City 243, Taiwan) ,  Chen Hou-Jen (Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan) ,  Yen Chia-Yi (Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan) ,  Pan Ke-Wei (Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan) ,  Huang Bohr-Ran (Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei 10607, Taiwan) ,  Kuo Wen-Yu (Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei 10607, Taiwan) ,  Chow Lee (Department of Physics, University of Central Florida, Orlando, FL 32816, USA) ,  Zhou Dan (Department of Materials Science and Engineering, University of Central Florida, Orlando, FL 32816, USA) ,  Popko Ewa (Institute of Physics, Wroclaw University of Technology, 50-370 Wroclaw, Poland)
資料名： Materials (Web)  (Materials (Web))
巻： 10  号： 4  ページ： 432  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7237A  ISSN： 1996-1944  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノリシック蛍光体フリー二色窒化ガリウム(GaN)ベース白色発光ダイオード(LED)は,低コストと長寿命サイクルのために,現在の蛍光体ベースのGaN白色LEDを置き換える可能性を有している。残念ながら,高いインジウム含有量の窒化ガリウム(InGaN)/GaN量子ドットの成長と報告されたLEDの演色指数(CRI)は依然として問題がある。ここでは,GaNトンネル障壁層により分離された低インジウム量子井戸の三つの成長層の上に,高インジウム量子ドットの四つの成長層をもつアップサイドダウンモノリシック二色りんフリーLEDを作製するために,フリップチップ技術を用いた。この白色LEDの光ルミネセンス(PL)とエレクトロルミネセンス(EL)スペクトルは,理想的な白色光源に近い475~675nmの広いスペクトルを明らかにした。作製した白色LEDの対応する色温度と色レンダリング指数(CRI)は,350,500と750mAで動作し,従来の蛍光体ベースLEDのそれに匹敵した。TEMおよび温度依存PLおよびEL測定により,エピタキシャル構造および輸送機構の洞察を明らかにした。著者らの結果は,将来の固体照明応用のためのEpi-準備le GaN白色LEDにおける真の可能性を示している。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 演色 ,  レンダリング ,  光ルミネセンス ,  エピタクシー ,  *蛍光体 ,  スペクトル ,  *フリップチップ法 ,  温度依存性 ,  量子ドット ,  色温度 ,  エレクトロルミネセンス ,  インジウム ,  窒化ガリウム
準シソーラス用語： *白色LED ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InGaN/GaN ,  量子ドット ,  量子井戸 ,  蛍光体フリー ,  白色LED

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (41件)：

• Mohammad, S.N.; Salvador, A.A.; Morkoc, H. Emerging Gallium Nitride Based Devices. Proc. IEEE 1995, 83, 1306-1355.
• Nakamura, S.; Senoh, M.; Nagahama, S.I.; Iwasa, N.; Yamada, T.; Matsushita, T.; Kiyoku, H.; Sugimoto, Y.; Kozaki, T.; Umemoto, H.; et al. InGaN/GaN/AlGaN-Based Laser Diodes with Modulation-Doped Strained-Layer Superlattices Grown on an Epitaxially Laterally Overgrown GaN Substrate. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 211-213.
• Muthu, S.; Gaines, J. Red, Green and Blue LED-Based White Light Source: Implementation Challenges and Control Design. In Proceedings of the 38th IAS Annual Meeting: Crossroads to Innovation, 2003 IEEE Industry Applications Conference, Salt Lake City, UT, USA, 12-16 October 2003; pp. 515-522.
• Chang, L.B.; Chang, Y.H.; Jeng, M.J. Light Output Improvement of InGaN-based light-Emitting Diodes by Microchannel Structure. IEEE Photonics Technol. Lett. 2007, 19, 1175-1177.
• Lai, M.J.; Jeng, M.J.; Chang, L.B. High-Efficiency InGaN-Based Yellow-Green Light-Emitting Diodes. Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 021004.

タイトルに関連する用語 (4件)： フリップチップ ,  蛍光体 ,  InGaN ,  白色発光ダイオード