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J-GLOBAL ID：201802256535821656   整理番号：18A1859990

パワーVDMOSトランジスタにおけるNBTIと照射関連劣化機構【JST・京大機械翻訳】

NBTI and irradiation related degradation mechanisms in power VDMOS transistors

著者 (10件)： Stojadinovic N. (Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia) ,  Stojadinovic N. (Serbian Academy of Sciences and Arts, 11000 Belgrade, Serbia) ,  Djoric-Veljkovic S. (Faculty of Civil Engineering and Architecture, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia) ,  Davidovic V. (Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia) ,  Golubovic S. (Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia) ,  Stankovic S. (Metrological Laboratory for Radiation Protection and Dosimetry, Institute for Nuclear Sciences, Vinca, Serbia) ,  Prijic A. (Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia) ,  Prijic Z. (Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia) ,  Manic I. (Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia) ,  Dankovic D. (Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 88-90  ページ： 135-141  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,以前に照射されたデバイスにおけるNBT応力効果が,受信された全線量に強く依存することを示した。すなわち,低線量照射の場合,その後のNBT応力は更なるデバイス劣化をもたらすと思われる。一方,以前に高線量に照射されたデバイスの場合,NBTストレスは放射線誘発分解の一部を実質的にアニールするのでプラスの役割を持つと思われる。NBT応力がほぼ完全に放射線誘起劣化をアニールする全線量を約60Gyと決定した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  放射線 ,  低線量照射 ,  放射線量
準シソーラス用語： 応力効果 ,  *劣化機構 ,  *NBTI , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： NBTストレス ,  照射 ,  パワーVDMOS ,  酸化物トラップ電荷 ,  界面トラップ

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： パワー ,  NBTI