文献

J-GLOBAL ID：201802256705990400   整理番号：18A1879620

遷移金属ジカルコゲナイド単分子膜のピエゾ抵抗の第一原理シミュレーション

First-principles Simulation of Piezoresistivity of Transition Metal Dichalcogenide Monolayers

著者 (2件)： NAKAMURA Koichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAKAMURA Koichi (Egypt-Japan Univ. Sci. and Technol., Alexandria, EGY)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 30  号： 9 (2)  ページ： 2073-2083  発行年： 2018年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC)単分子層モデルの縦ゲージ因子を第一原理計算により評価した。TMDC単分子層は多重谷/多重ピーク電子構造を有し,一軸引張歪はドープしたTMDC単分子層のいくつかの種に対して,伝導帯谷または価電子帯ピークにおけるキャリア再分布によって電気伝導率の顕著な変化を引き起こした。遷移金属とカルコゲン原子の組合せにより,高いピエゾ抵抗率が選択的に観測された。このシミュレーションにおいて,pドープMoS₂単分子層モデルは,10¹⁷-10¹⁹cm^-3のキャリア濃度範囲において,20°Cで94.2と87.4の高い縦ゲージ因子を与えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物 ,  *電気抵抗 ,  計算 ,  *電子構造 ,  一軸 ,  *歪 ,  ドーピング ,  電気伝導率 ,  キャリア密度 ,  *比率
準シソーラス用語： *遷移金属ジカルコゲナイド ,  単分子膜 ,  *ピエゾ抵抗 ,  第一原理計算 ,  一軸性 ,  *引張歪 ,  *ゲージ率

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

引用文献 (37件)：

• J. A. Wilson and A. D. Yoffe: Adv. Phys. 18 (1963) 193.
• A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang, T. Li, J. Kim, C.-Y. Chim, G. Galli, and F. Wang: Nano Lett. 10 (2010) 1271.
• B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, and A. Kis: Nat. Nanotechnol. 6 (2011) 147.
• H. Zeng, J. Dai, W. Yao, D. Xiao, and X. Cui: Nat. Nanotechnol. 7 (2012) 490.
• K. F. Mak, K. He, J. Shan, and T. F. Heinz: Nat. Nanotechnol. 7 (2012) 494.

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移金属ジカルコゲナイド ,  単分子膜 ,  ピエゾ抵抗 ,  第一原理 ,  シミュレーション