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J-GLOBAL ID：201802257885882740   整理番号：18A1420677

InN金属有機気相エピタクシーの気相反応経路の解析

Analysis of Gas Phase Reaction Pathways for InN Metal Organic Vapor Phase Epitaxy

著者 (6件)： Sone Junji (Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University) ,  Uematsu Kouta (Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University) ,  Matsufuji Yuuki (Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University) ,  Oshima Masato (Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University) ,  Yamada Katsumi (Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University) ,  Higashi Masahiro (Faculty of Science, University of the Ryukyus)
資料名： Journal of Chemical Engineering of Japan  (Journal of Chemical Engineering of Japan)
巻： 51  号： 7  ページ： 605-608(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： S0629A  ISSN： 0021-9592  CODEN： JCEJAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,InN金属有機気相エピタクシーの化学反応速度を調べた。InNプロセスの重要な表面反応物をGaNプロセスのそれと同様に調べた。反応物と遷移状態の構造と振動周波数を密度汎関数理論により決定し,反応経路を過渡エネルギーとの比較により評価した。いくつかの種がInN MOVPEの表面反応に重要な役割を果たしていることが示唆された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  *MOCVD ,  気相成長 ,  *反応速度論 ,  表面反応 ,  化学反応 ,  密度汎関数法 ,  反応経路 ,  気相反応
準シソーラス用語： *有機金属気相エピタキシー ,  気相エピタクシー ,  化学反応速度論 ,  反応物

著者キーワード (12件)： 有機金属気相エピタクシー ,  コンピュータシミュレーション ,  窒化物 ,  反応経路 ,  気相 ,  密度汎関数理論 ,  有機金属気相エピタクシー ,  コンピュータシミュレーション ,  窒化物 ,  反応経路 ,  気相 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 反応工学,反応速度論  (XE01020M) ,  塩  (CD01050V)

引用文献 (11件)：

• Hirako, A., K. Kusakabe and K. Ohkawa; “Modeling of Reaction Pathways of GaN Growth by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy Using TMGa/NH₃/H₂ System: A Computational Fluid Dynamics Simulation Study,” Jpn. J. Appl. Phys., 44, 874-879 (2005)
• Kangawa, Y., T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi and T. Nakayama; “Surface Stability and Growth Kinetics of Compound Semiconductors: An Ab Initio-Based Approach,” Materials (Basel), 6, 3309-3360 (2013)
• Liu, Y. H., T. Kimura, T. Shimada, M. Hirata, M. Wakaba, M. Nakao, S. Ji and T. Matsuoka; “MOVPE Growth of InN: A Comparison between a Horizontal and a Vertical Reactor,” Phys. Status Solidi, 6(S2), S381-S384 (2009)
• Matsuoka, T.; “Nitride Semiconductors for Blue Lasers,” Proc. SPIE, 6050, 60500K1-60500K9, Sapporo, Japan (2006)
• Parikh, R. P. and R. A. Adomaitis; “An Overview of Gallium Nitride Growth Chemistry and Its Effect on Reactor Design: Application to a Planetary Radial-Flow CVD System,” J. Cryst. Growth, 286, 259-278 (2006)

タイトルに関連する用語 (5件)： InN ,  金属有機気相エピタクシー ,  気相 ,  反応経路 ,  解析