文献

J-GLOBAL ID：201802257935672701   整理番号：18A2242853

B₁₀H₁₄⁺クラスタと軟X線照射によるシリコン基板中のホウ素イオンの低温活性化

Low-temperature activation of boron ion in silicon substrate using B₁₀H₁₄⁺ cluster and by soft X-ray irradiation

著者 (3件)： HEYA Akira (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  MATSUO Naoto (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  KANDA Kazuhiro (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 11  ページ： 116502.1-116502.6  発行年： 2018年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超浅接合を実現するために,シンクロトロン放射施設における軟X線アンジュレータを用いた,Siウエハ中のBドーパントの新しい活性化法を提案した。さらに,B₁₀H₁₄⁺クラスタを用いて,高い活性化比と小さな接合深さを得た。B₁₀H₁₄⁺クラスタと490°Cでの軟X線照射により,245Ω/sqの低シート抵抗を得た。p-n接合を,過剰ドーパント拡散なしに440°Cの処理温度で作製した。軟X線照射による低温活性化の機構を,従来の炉アニーリングと比較し,B⁺およびB₁₀H₁₄⁺クラスタの間の差に基づいて議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *水素化物 ,  *ホウ素化合物 ,  *クラスタ ,  *軟X線 ,  *X線照射 ,  ウエハ【IC】 ,  *ホウ素 ,  イオン ,  *低温 ,  活性化 ,  *半導体接合 ,  ドーパント ,  放射光施設 ,  PN接合 ,  シート抵抗 ,  温度 ,  *極浅接合 ,  シンクロトロン放射施設 ,  熱処理温度 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： シリコン基板

分類 (2件)： X線技術  (BA02060D) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

引用文献 (40件)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2013 Edition.
• H. Puchner and S. Aronowitz, MRS Proc. 568, 65 (1999).
• A. Agarwal, H. J. Gossmann, and A. T. Fiory, MRS Proc. 568, 19 (1999).
• G. Fortunato, L. Mariucci, M. Stanizzi, V. Privitera, S. Whelan, C. Spinella. G. Mannino, M. Italia, C. Bongiorno, and A. Mittiga, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 186, 401 (2002).
• A. T. Fiory and K. K. Bourdelle, Appl. Phys. Lett. 74, 2658 (1999).

タイトルに関連する用語 (6件)： クラスタ ,  軟X線 ,  シリコン基板 ,  ホウ素イオン ,  低温 ,  活性化