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J-GLOBAL ID：201802258354663043   整理番号：18A1105246

COMPY-BTIの統一モデリングのためのコンパクト物理フレームワーク【JST・京大機械翻訳】

Comphy - A compact-physics framework for unified modeling of BTI

著者 (14件)： Rzepa G. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Austria) ,  Franco J. (imec, Leuven, Belgium) ,  O’Sullivan B. (imec, Leuven, Belgium) ,  Subirats A. (imec, Leuven, Belgium) ,  Simicic M. (imec, Leuven, Belgium) ,  Hellings G. (imec, Leuven, Belgium) ,  Weckx P. (imec, Leuven, Belgium) ,  Jech M. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Austria) ,  Knobloch T. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Austria) ,  Waltl M. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Austria) ,  Roussel P.J. (imec, Leuven, Belgium) ,  Linten D. (imec, Leuven, Belgium) ,  Kaczer B. (imec, Leuven, Belgium) ,  Grasser T. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Austria)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 85  ページ： 49-65  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物-半導体(MOS)デバイスは,酸化物および界面欠陥の発生,変態および帯電によって影響を受ける。50年の研究にもかかわらず,欠陥構造と生成機構は完全には理解されていない。ほとんどの光は,非放射性多重フォノン理論を用いて,既存の酸化物欠陥の帯電機構を解明した。本研究では,既存の酸化物欠陥に対する物理モデルの要点を,物理的基礎と精度の最小損失で効率的に抽出できる方法を示した。欠陥の発生と変換のための半経験的モデルと共に,バイアス温度不安定性(BTI)の統一シミュレーションのための反応制限枠組みを確立した。本論文では,負(NBTI)および正(PBTI)ゲート電圧,寿命外挿,任意の信号およびデューティサイクルを持つACストレス,およびゲートスタック工学に対するBTIのシミュレーションについて述べた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 多重化 ,  外挿法 ,  *モデリング ,  フォノン ,  帯電 ,  半導体 ,  シミュレーション ,  酸化物
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  デューティサイクル ,  ゲート電圧 ,  NBTI ,  バイアス温度不安定性 ,  物理モデル ,  界面欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： バイアス温度不安定性 ,  高k誘電体材料 ,  半導体デバイスの信頼性

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： BTI ,  モデリング ,  コンパクト ,  物理 ,  フレームワーク