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J-GLOBAL ID：201802259089878699   整理番号：18A1998946

純及びSi偏析α-Ti表面の酸化機構【JST・京大機械翻訳】

Mechanisms of oxidation of pure and Si-segregated α-Ti surfaces

著者 (5件)： Bhattacharya Somesh Kr. (Research Center for Structural Materials, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Sahara Ryoji (Research Center for Structural Materials, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Suzuki Satoshi (Department of Materials Processing, Tohoku University, 6-6-2 Aza Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Ueda Kyosuke (Department of Materials Processing, Tohoku University, 6-6-2 Aza Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Narushima Takayuki (Department of Materials Processing, Tohoku University, 6-6-2 Aza Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 463  ページ： 686-692  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理分子動力学を用いて,α-Ti表面の酸化機構を同定した。Si偏析はTiにおけるα-ケース形成を抑制することが分かった。これは実験的にも確認された。金属原子からガス分子への電荷移動は純粋およびSi偏析α-Ti(0001)表面上での酸化の初期段階を駆動するが,後期段階では酸化はスラブへの酸素侵入により進行する。酸化物ネットワークの成長は表面Ti原子の酸化状態に強く依存した。Si偏析材料における酸化物成長は,Ti原子の+1.5酸化状態に対応する表面上のTiO_x(0.5≦x≦1)の形成により遅延した。シミュレーションと実験は,Siが高温でも酸素のTiへの侵入を減少させることを明確に示した。高温でのTi表面の酸化の機構を同定,理解,制御することの主要で重要なステップは,改良された耐酸化性を有する新しい合金の設計を助けることが期待される。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  合金 ,  酸素 ,  *チタン ,  *酸化 ,  高温 ,  耐酸化性 ,  分子動力学 ,  電荷移動 ,  酸化物 ,  第一原理 ,  ネットワーク ,  *偏析 ,  侵入
準シソーラス用語： 酸化状態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化 ,  α-Ti ,  高温 ,  表面 ,  分子動力学

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  偏析 ,  Ti ,  酸化機構