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J-GLOBAL ID：201802262079976598   整理番号：18A0968785

容量結合プラズマ反応器におけるガス速度と温度分布によるa-Si:H膜の堆積速度プロファイルの均一性制御【JST・京大機械翻訳】

Uniformity control of the deposition rate profile of a-Si:H film by gas velocity and temperature distributions in a capacitively coupled plasma reactor

著者 (2件)： Kim Ho Jun (Department of Mechanical Engineering, Dong-A University, Busan 49315, South Korea) ,  Lee Hae June (Department of Electrical Engineering, Pusan National University, Busan 46241, South Korea)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 11  ページ： 113302-113302-16  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ増強化学蒸着(PECVD)により形成された薄膜の堆積速度プロファイルに及ぼす中性輸送の影響を調べ,非晶質水素化シリコン膜の均一性を改善した。中間圧力SiH_4/Heガス混合物を有する容量結合プラズマにおける気体速度と温度の変化により,円筒シャワーヘッドを有するPECVD反応器を数値的にシミュレートした。ガス速度分布の変調は,SiH_4,SiH_3,H,SiH_2,およびSi_2H_6のような中性分子の密度分布において,特に電極端の近傍で顕著な変化をもたらす。局所的に加速されたガス流により,電極端近くのSi_2H_6密度の同時増加は,電極端近くの電子密度と堆積速度プロファイルの両方の増加を誘起する。さらに,側壁温度の変化による表面温度分布の変化もプラズマ密度分布を効果的に変調できることを観測した。シミュレートした堆積速度分布は,非等温壁境界条件下でも実験データと良く一致した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 気体流 ,  速度分布 ,  プラズマCVD ,  密度分布 ,  薄膜 ,  *堆積速度 ,  境界条件 ,  円筒 ,  *温度分布 ,  電子密度 ,  混合気体 ,  *反応器 ,  中圧
準シソーラス用語： *容量結合プラズマ ,  *容量結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： プラズマ診断  (BJ02090L) ,  気体放電  (BJ03020T) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  プラズマ一般  (BJ02010B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 容量結合プラズマ ,  反応器 ,  温度分布 ,  Si ,  堆積 ,  速度プロファイル ,  均一性