文献

J-GLOBAL ID：201802262815203027   整理番号：18A2229537

40および20μmピッチマイクロバンプによる大規模薄化ダイスの積層のためのTCB最適化【JST・京大機械翻訳】

TCB optimization for stacking large thinned dies with 40 and 20 μm pitch microbumps

著者 (10件)： Gerets Carine (Imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium) ,  Derakhshandeh Jaber (Imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium) ,  Bex Pieter (Imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium) ,  Lofrano Melina (Imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium) ,  Cherman Vladimir (Imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium) ,  Cochet Tom (Imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium) ,  Rebibis Kenneth June (Imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium) ,  Beyer Gerald (Imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium) ,  Miller Andy (Imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium) ,  Beyne Eric (Imec, Kapeldreef 75, Leuven, 3001, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ESTC  ページ： 1-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,薄い,反りおよび大きいダイスに対するD2W(Die to Wafer)TCB(熱圧縮結合)積層の最適化プロセスについて検討した。解析的計算/シミュレーションとin situ変形測定技術の両方により,WLUFのTCB関連特性を詳細に研究し,その結果を用いて,TCBプロファイルの必要な結合力を低くした。更なる最適化には,界面温度均一性の強化と熱モードと呼ばれるトップボンドツールの修正が含まれる。これらの最適化により,薄い,そして,反りの大きい金型の良好な平坦化と,TCBプロセス中の一様な圧力分布が得られた。大きな積層金型は非常に低い反り,TSVsと20μmピッチ微小バンプ間の非常に良好な継手形成,および100{%}電気収率に近いことを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *バンプ ,  付着力 ,  圧力分布 ,  界面 ,  シミュレーション ,  社債 ,  *最適化
準シソーラス用語： 平坦化 ,  *マイクロバンプ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ピッチ ,  マイクロバンプ ,  大規模 ,  ダイス ,  TCB ,  最適化