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J-GLOBAL ID：201802263605713784   整理番号：18A1942096

iot応用のための10μW/cm2級Siナノワイヤ熱電発電機のモデリング,シミュレーション,作製,および特性評価【JST・京大機械翻訳】

Modeling, Simulation, Fabrication, and Characterization of a 10- $¥mu$ W/cm² Class Si-Nanowire Thermoelectric Generator for IoT Applications

著者 (20件)： Tomita Motohiro (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Oba Shunsuke (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Himeda Yuya (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Yamato Ryo (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Shima Keisuke (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Kumada Takehiro (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Xu Mao (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Takezawa Hiroki (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Mesaki Kohhei (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Tsuda Kazuaki (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Hashimoto Shuichiro (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Zhan Tianzhuo (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Zhang Hui (Graduate School of Science and Technology, Gunma University, Kiryu, Japan) ,  Kamakura Yoshinari (Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Suzuki Yuhhei (Graduate School of Engineering, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan) ,  Inokawa Hiroshi (Graduate School of Engineering, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan) ,  Ikeda Hiroya (Graduate School of Engineering, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan) ,  Matsukawa Takashi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Matsuki Takeo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Watanabe Takanobu (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 11  ページ： 5180-5188  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siナノワイヤ(NW)熱電(TE)発電機の最適電流ベンチマークとして,CMOSプロセス技術と互換性のある平面デバイスアーキテクチャを提案した。提案したデバイスは基板に垂直な熱流の近傍で形成される温度勾配により駆動される。したがって,従来のTE発電機と異なり,平面短Si-NWは空洞構造上に懸垂されない。5Kの外部印加温度差の下で,記録されたTEパワー密度は,Si-NW長を短くし,Si基板の寄生熱抵抗を抑制することにより,12μW/cm2であることが観察された。実証は,環境と体の熱を利用する費用対効果の高い自律的インターネット間アプリケーションを開発するための道を開く。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 互換性 ,  *ナノワイヤ ,  *モデリング ,  電流 ,  *キャラクタリゼーション ,  基板 ,  ベンチマーク ,  インターネット ,  温度勾配 ,  応用プログラム ,  熱流 ,  計算機アーキテクチャ ,  自律性 ,  温度差 ,  印加電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： IoT ,  応用 ,  Si ,  ナノワイヤ ,  熱電発電機 ,  モデリング ,  シミュレーション ,  作製 ,  特性評価