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J-GLOBAL ID：201802265183110527   整理番号：18A0912151

ZnSnAs₂ベースの希薄磁性半導体の第一原理研究

First-principles study of ZnSnAs₂-based dilute magnetic semiconductors

著者 (4件)： KIZAKI Hidetoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KIZAKI Hidetoshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MORIKAWA Yoshitada (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORIKAWA Yoshitada (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 2  ページ： 020306.1-020306.4  発行年： 2018年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黄銅鉱型Zn(Sn,TM)As₂と(Zn,TM)SnAs₂の電子構造と磁気的性質を,局所スピン密度近似の枠内でコヒーレントポテンシャル近似と結合したKorringa-Kohn-Rostoker法によって調べた。ここで,TMは3d遷移金属元素を示す。半金属および高スピン強磁性状態がZn(Sn,V)As₂,Zn(Sn,Cr)As₂,Zn(Sn,Mn)As₂,(Zn,V)SnAS₂および(Zn,Cr)SNAS₂で得られることを見出した。Zn(Sn,Mn)As₂の計算結果は,Snサイトでの選択的Mnドーピングを制御できれば,実験的に観測された室温強磁性と良く一致した。更に,(Zn,V)SnAS₂と(Zn,Cr)SnAs₂は,高いCurie温度の強磁性を示すと予測される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化物 ,  *スズ化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *磁性半導体 ,  第一原理 ,  黄銅鉱型結晶 ,  *遷移金属化合物 ,  *電子構造 ,  磁性 ,  近似法 ,  局所密度汎関数法 ,  コヒーレントポテンシャル近似 ,  *高スピン状態 ,  *強磁性 ,  Curie温度
準シソーラス用語： KKR法【近似法】 ,  Korringa-Kohn-Rostoker法 ,  希薄磁性半導体 ,  局所スピン密度近似

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

引用文献 (10件)：

• H. Munekata, H. Ohno, S. von Molnar, A. Segmuller, L. L. Chang, and L. Esaki, Phys. Rev. Lett. 63, 1849 (1989).
• H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, and Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996).
• S. A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S. von Molnár, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova, and D. M. Treger, Science 294, 1488 (2001).
• K. Sato, L. Bergqvist, J. Kudrnovský, P. H. Dederichs, O. Eriksson, I. Turek, B. Sanyal, G. Bouzerar, H. Katayama-Yoshida, V. A. Dinh, T. Fukushima, H. Kizaki, and R. Zeller, Rev. Mod. Phys. 82, 1633 (2010).
• S. Choi, G. B. Cha, S. C. Hong, S. Cho, Y. Kim, J. B. Ketterson, Y.-Y. Jeong, and G. C. Yi, Solid State Commun. 122, 165 (2002).

タイトルに関連する用語 (3件)： 希薄磁性半導体 ,  第一原理 ,  研究