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J-GLOBAL ID:201802265326074297   整理番号:18A0239605

室温マルチフェロイックGa_xFe_2-xO_3エピタキシャル薄膜における強誘電性と磁気的性質【Powered by NICT】

Ferroelectric and Magnetic Properties in Room-Temperature Multiferroic GaxFe2- xO3 Epitaxial Thin Films
著者 (7件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: ROMBUNNO.201704789  発行年: 2018年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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GaFeO_3型鉄酸化物はその大きな磁化のために有望な室温マルチフェロイック材料である。その有用性を拡大するために,強誘電性および磁気的性質を制御することが重要である。本研究では,高品質Ga_xFe_2-xO_3(x=0 1)エピタキシャル膜を作製し,それらの特性を系統的に検討した。全ての膜は室温面外強誘電性を示し,抗電場(E_c)はxと共に単調に減少することを示した。膜は0 0.6で>350KのCurie温度(T_C)を持つ面内フェリ磁性を示した。保磁場(H_c)は,x≦0.6でxと共に減少するが,x>0.6であるのに対して,飽和磁化(M_s)は,x≦0.6でxと共に増加しで一定値を示したが,x>0.6でxと共に減少した。X線磁気円偏光二色性により,x=0~0.6で大きな磁化は八面体サイトでのFe~3+(3d~5)に由来することを明らかにした。室温(400 800kV cm~ 11 8kOe,0.2 0.6μ_B.u.)でE_c,H_c,M_s値の制御可能な範囲は非常に広く,よく知られたマルチフェロイックBiFeO_3のとは異なっていた。Ga_xFe_2-xO_3膜は室温磁気容量効果を示し,室温付近でT_Cを調節して大きな室温磁気容量挙動を達成するために有用であることを示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  セラミック・磁器の性質 

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