ハイドロフルオロカーボンによる窒化物エッチング III  低k′窒化物スペーサエッチプロセスのためのC_4H_9FとCH_3Fの比較【JST・京大機械翻訳】

Miyazoe Hiroyuki; Marchack Nathan; Bruce Robert L.; Zhu Yu; Nakamura Masahiro; Miller Eric; Kanakasabapathy Sivananda; Suzuki Takefumi; Ito Azumi; Matsumoto Hirokazu; Engelmann Sebastian U.; Joseph Eric A.

文献

J-GLOBAL ID：201802266749805713 整理番号：18A0995129

ハイドロフルオロカーボンによる窒化物エッチング III 低k′窒化物スペーサエッチプロセスのためのC_4H_9FとCH_3Fの比較【JST・京大機械翻訳】

Nitride etching with hydrofluorocarbons III: Comparison of C₄H₉F and CH₃F for low-k′ nitride spacer etch processes

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資料名：
巻： 36 号： 3 ページ： 032201-032201-7 発行年： 2018年
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

C_4H_9FベースとCH_3Fベースのプラズマガス化学を用いて,フィン電界効果トランジスタ素子作製のための低k窒化物スペーサエッチングプロセスの性能を研究した。C_4H_9Fは,O_2ガス流量のより大きなプロセスウィンドウを示し,CH_3Fよりも,ブランケットSiN/SiOとSiN/poly-Siの無限のエッチング選択性を得た。エッチング選択性は,同期パルスプラズマ中のデューティサイクルの減少により,両ガス中で増加した。30%のデューティサイクルで,C_4H_9F-O_2-Heプラズマを用いて,4.7nmの最小化されたフィン再現性をもたらす,60nmのゲートピッチテストサイトを用いた低kスペーサ形成を実証した。これはCH_3F-Heプラズマによるものより2.2倍小さかった。50%の拡張エッチ時間は5.1nmのフィン凹をもたらし,C_4H_9F-O_2-Heプラズマ化学を用いた自己制限挙動を示唆した。ブランケット膜のギャップ構造解析は,C_4H_9F-O_2-Heプラズマの場合,プラズマ支援蒸着により,選択性を高めるフルオロカーボンの選択蒸着が駆動されることを示唆した。C_4H_9Fのこれらのユニークな特性は,広範囲の応用における窒化物ベースの材料パターン形成のための革新的なプラズマエッチングプロセスを容易にすることができる。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

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固体デバイス製造技術一般 , プラズマ応用

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