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J-GLOBAL ID：201802267463013485   整理番号：18A0249862

エネルギーマネジメントに貢献するパワー半導体 大容量SiCハイブリッドモジュール「HPnC」

“HPnC” Large-Capacity SiC Hybrid Module

著者 (3件)： 関野裕介 (富士電機) ,  三本孝博 (富士電機) ,  森谷友博 (富士電機)
資料名： 富士電機技報  (Fuji Electric Journal)
巻： 90  号： 4  ページ： 228-232  発行年： 2017年12月30日 
JST資料番号： F0080A  ISSN： 2187-1817  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電鉄や太陽光発電,風力発電分野向けの大容量パワーモジュール「HPnC」を開発している。チップ技術には,第7世代「Xシリーズ」技術を適用し,チップの低損失化を行った。パッケージには,絶縁基板に窒化アルミニウム(AlN)セラミックを,ベース材にマグネシウムと炭化けい素の複合材料(MgSiC)を採用した。主端子の構造にラミネート構造を採用することにより,内部インダクタンスを10nHに低減し,超音波端子接合によりRoHS指令への対応を図った。これらの技術の適用により,従来品のHPMに対して電流密度を12%拡大し,高電流密度化を実現した。(著者抄録)

シソーラス用語： *電力変換器 ,  *回路モジュール ,  *炭化ケイ素 ,  損失 ,  積層材料 ,  インダクタンス ,  IGBT ,  ハイブリッド系 ,  サーミスタ ,  ターンオフ ,  Schottky障壁ダイオード ,  ターンオン
準シソーラス用語： SBD【ダイオード】 ,  ラミネート

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (3件)：

• 川畑潤也ほか.第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュール.富士電機技報.2015,vol.88,no.4,p.254-258.
• 小根澤巧ほか.1,700V 耐圧SiCハイブリッドモジュール.富士電機技報.2015,vol.88,no.4,p.245-248.
• 福知輝洋,金子悟史.3.3kV IGBTモジュールの系列拡大.富士電機技報.2012,vol.85,no.6,p.422-425.

タイトルに関連する用語 (5件)： エネルギーマネジメント ,  パワー半導体 ,  大容量 ,  SiC ,  モジュール