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J-GLOBAL ID：201202223300081637   整理番号：12A1674043

エネルギーマネジメントに貢献するパワー半導体 3.3kV IGBTモジュールの系列拡大

Expansion of the 3.3 kV IGBT Module Series

著者 (2件)： 福知輝洋 (富士電機) ,  金子悟史 (富士電機)
資料名： 富士電機技報  (Fuji Electric Journal)
巻： 85  号： 6  ページ： 422-425  発行年： 2012年11月10日 
JST資料番号： F0080A  ISSN： 2187-1817  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,再生可能エネルギーの市場が急速に伸びており,大容量IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールのニーズは急激に拡大している。富士電機ではこれに応えるため,3.3kVのIGBTモジュールで定格電流を25%向上した新製品を系列化した。0.8kA品と同じパッケージの3.3kV/1.0kAと,1.2kA品と同じパッケージの3.3kV/1.5kAの製品である。チップ配置をシンメトリーにしたことにより,高スイッチング耐量を確保している。また,絶縁基板には放熱能力向上のためAlN基板を,ベース材料には高い信頼性を確保するためAlSiCベースを採用している。(著者抄録)

シソーラス用語： *IGBT ,  エネルギー管理 ,  新製品 ,  *電気絶縁 ,  基板 ,  *熱放射 ,  窒化アルミニウム ,  *信頼性 ,  電流電圧特性 ,  スイッチング ,  熱抵抗 ,  インバータ ,  熱伝導率 ,  熱サイクル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• (1) 西村孝司ほか. IGBTハイパワーモジュール. 富士時報. 2008, vol.81, no.6, p.390-394.
• (2) 西村孝司ほか. 3レベルインバータ対応大容量IGBTの系列化-高絶縁パッケージ-. 富士時報.2010, vol83, no.6, p.370-374.
• (3) 山本拓也, 吉渡新一. 新型大容量2in1 IGBTモジュール. 富士時報. 2010, vol.83, no.6, p.388-392.
• (4) 山本拓也ほか. 大容量第6世代IGBTモジュールの系列拡大. 富士時報. 2011, voL84, no.5, p.317-321.
• (5) 古閑丈晴ほか. 3.3kV IGBTモジュール. 富士時報. 2007, vo1.80, no.6, P.397-401.

タイトルに関連する用語 (6件)： エネルギーマネジメント ,  パワー半導体 ,  IGBT ,  モジュール ,  系列 ,  拡大