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J-GLOBAL ID：201802268739547340   整理番号：18A0133033

ホットフィラメント化学気相蒸着により作製した自立p+ダイヤモンド(100)基板の成長と特性評価【Powered by NICT】

Growth and characterization of freestanding p+diamond (100) substrates prepared by hot-filament chemical vapor deposition

著者 (6件)： Ohmagari Shinya (Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Yamada Hideaki (Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Umezawa Hitoshi (Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Tsubouchi Nobuteru (Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Chayahara Akiyoshi (Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Mokuno Yoshiaki (Diamond Materials Team, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 81  ページ： 33-37  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 濃密にBドーピングしたp+ダイヤモンド(100)厚膜を,熱フィラメント化学蒸着(HFCVD)により成長させた。低抵抗率(<3mΩcm)は高速成長条件(1 4μm/h)で実現することに成功した。成長させたままの膜表面は非エピタキシャル粒子を持たずにステップバンチング面を示した。横方向成長は,厚膜(>100μm)にわたって維持された。自立無亀裂膜をレーザ切断と機械的研磨プロセスによるシード基板を除去することにより調製した。X線回折ロッキングカーブ(004)スペクトルは25arcsecの半最大値全幅を示した,採用したシード基板と同等であった。垂直Schottky障壁ダイオードは,低い漏れ電流レベルを持つ明確な整流作用を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロッキングカーブ ,  漏れ電流 ,  厚膜 ,  レーザ切断 ,  整流 ,  ドーピング ,  *蒸着 ,  エピタクシー ,  *ダイヤモンド ,  X線回折 ,  *キャラクタリゼーション ,  Schottky障壁ダイオード
準シソーラス用語： 横方向成長 ,  ステップバンチング ,  HFCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： フィラメント ,  化学 ,  気相蒸着 ,  作製 ,  自立 ,  ダイヤモンド ,  成長 ,  特性評価