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J-GLOBAL ID：201802269235413660   整理番号：18A0401428

二重L形埋込み酸化物層を持つSiC LDMOSのための改善ブレークダウン電圧と自己加熱効果【Powered by NICT】

Improving breakdown voltage and self-heating effect for SiC LDMOS with double L-shaped buried oxide layers

著者 (2件)： Bao Meng-tian (College of Information and Communication Engineering, Harbin Engineering University, 150001, Harbin, China) ,  Wang Ying (The Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, 310018, Hangzhou, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 102  ページ： 147-154  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,二重L型の埋め込み酸化膜層(DL SiC LDMOS)をもつSiC LDMOSを調べ,シミュレーションを行った。DL SiC LDMOSは二L型の埋め込み酸化膜層と二SiC窓で構成されている。二次元数値シミュレーションソフトウェアを用いて,アトラス,Silvaco TCAD,絶縁破壊電圧,及び自己加熱効果を検討した。活性領域の二重-L形埋込み酸化物層とSiC窓は,余分の電場ピークを導入し,電場分布はドリフト領域でより一様にすることができる。添加では,活性領域を接続基板,SiC窓は熱散逸を促進し,素子の最大格子温度を減少させることができる。BODS構造と比較して,DL SiC LDMOSとBODS構造は,同じデバイスパラメータ,埋込み酸化物層を除くを有していた。DL SiC LDMOSのシミュレーション結果は,32.6%から1220V破壊電圧の増加を含む顕著な特性,室温で低い最大格子温度(535 K)を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドリフト ,  *熱影響 ,  活性部位 ,  *炭化ケイ素 ,  *酸化層 ,  電場 ,  二次元 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 格子温度 ,  電界分布 ,  TCAD ,  埋込み酸化膜 ,  *自己加熱 ,  *絶縁破壊電圧 ,  *LDMOS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 4H-SiC LDMOS ,  パターン形成した埋め込み酸化物層 ,  絶縁破壊電圧 ,  自己加熱効果

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： L形 ,  埋込み ,  酸化物層 ,  SiC ,  LDMOS ,  ブレークダウン電圧 ,  自己 ,  加熱効果