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J-GLOBAL ID：201802270680558955   整理番号：18A1211791

InGaN系発光ダイオードにおける効率低下を理解するための実験的測定に関するレビュー【JST・京大機械翻訳】

A Review on Experimental Measurements for Understanding Efficiency Droop in InGaN-Based Light-Emitting Diodes

著者 (10件)： Wang Lai (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Jin Jie (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Mi Chenziyi (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Hao Zhibiao (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Luo Yi (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Sun Changzheng (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Han Yanjun (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Xiong Bing (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wang Jian (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Li Hongtao (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： Materials (Web)  (Materials (Web))
巻： 10  号： 11  ページ： 1233  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7237A  ISSN： 1996-1944  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高注入電流密度下のGaN系発光ダイオード(LED)における効率低下は,高出力固体照明の開発を必要とする。関連研究は約10年間続いているが,そのメカニズムはまだ完全には明らかではなく,その結果,その解決策も現在まで満足できない。極端に高い電流密度の下でLED動作を必要とする高速可視光通信のようないくつかの新しい応用は,効率低下の影響をより深刻にする。本論文では,特に2013年以降に報告されたいくつかの新しい結果について,LEDに関する実験的測定をレビューした。特に,LEDのキャリア寿命を集中的に解析し,LEDドループ挙動に及ぼすその効果を明らかにした。最後に,LEDドループを克服する可能な解決策を検討した。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  多重量子井戸 ,  *発光ダイオード ,  高速度 ,  電流密度 ,  キャリア寿命
準シソーラス用語： 可視光通信 ,  高電流密度 ,  固体照明 ,  高出力 ,  *性能劣化 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 発光ダイオード(LED) ,  効率低下 ,  GaN ,  InGaN ,  多重量子井戸(MQW) ,  キャリア寿命

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (108件)：

• Steigerwald, D.A.; Bhat, J.C.; Collins, D.; Fletcher, R.M.; Holcomb, M.O.; Ludowise, M.J.; Martin, P.S.; Rudaz, S.L. Illumination with solid state lighting technology. IEEE J. Select. Top. Quantum Electron. 2002, 8, 310-320.
• Crawford, M.H. LEDs for solid-state lighting: Performance challenges and recent advances. IEEE J. Select. Top. Quantum Electron. 2009, 15, 1028-1040.
• Pimputkar, S.; Speck, J.S.; DenBaars, S.P.; Nakamura, S. Prospects for LED lighting. Nat. Photonics 2009, 3, 180-182.
• The Nobel Prize in Physics 2014. Available online: http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2014/ (accessed on 30 September 2017).
• Piprek, J. Efficiency droop in nitride-based light-emitting diodes. Phys. Status Solidi A 2010, 207, 2217-2225.

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  発光ダイオード ,  効率低下 ,  理解 ,  実験 ,  レビュー