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J-GLOBAL ID：201802270835523564   整理番号：18A1941184

シリコン中の衝突イオン化により発生した単一正孔の検出【JST・京大機械翻訳】

Detection of single holes generated by impact ionization in silicon

著者 (7件)： Firdaus Himma (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu 432-8011, Japan) ,  Watanabe Tokinobu (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu 432-8011, Japan) ,  Hori Masahiro (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu 432-8011, Japan) ,  Moraru Daniel (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu 432-8011, Japan) ,  Takahashi Yasuo (Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan) ,  Fujiwara Akira (NTT Basic Research Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi 243-0198, Japan) ,  Ono Yukinori (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, Hamamatsu 432-8011, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 16  ページ： 163103-163103-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si中の電子開始衝撃イオン化過程の観測のための方法を提案した。これは個々の衝突イオン化事象を検出できる可能性がある。この方法は,単一電荷感度による衝撃イオン化によって発生するホールを検出する。Siバンドギャップエネルギーに近い注入エネルギー閾値をもつ一定の電子注入電流に対して発生した単一正孔の鎖を検出することにより,8Kでの方法を実証した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷 ,  *正孔 ,  *衝突イオン化 ,  電流 ,  *ケイ素 ,  電子注入 ,  閾エネルギー

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  衝突イオン化 ,  正孔