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J-GLOBAL ID:201802270913177175   整理番号:18A1506486

(Ga,Mn)Asエピタキシャル層における面内90°磁化スイッチングのイメージング【JST・京大機械翻訳】

Imaging in-plane 90° magnetization switching in a (Ga,Mn)As epitaxial layer
著者 (4件):
資料名:
巻: 124  号:ページ: 063901-063901-8  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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(Ga,Mn)Asエピタキシャル層における面内,90°磁化スイッチングに関連する動力学を,自家製磁気光学顕微鏡を用いて得られた画像に基づいて研究した。磁気複屈折(MB)によって引き起こされる2つの異なる90°ドメイン間の小さなコントラストは,デジタル画像処理によって強化される。2つの連続90°スイッチングを,Curie温度の半分値以上およびそれ以上の温度領域で明確に捉えた。動力学は第一と第二のスイッチングに対して同じではなく,おそらく〈110〉一軸異方性とスピン依存ピン止めサイトの影響を反映している。特に,低温領域では,比較的容易な一軸(REU)軸([1-10]軸)を通過する最初のスイッチングは,滑らかな90°磁壁(DW)運動により支配され,一方,比較的硬い一軸(RHU)軸([110]軸)を通過する第二スイッチングは,DW運動と共に90°ドメインの核形成と合体を通して起こる。高温領域では,REU軸を介した最初のスイッチングは核形成とそれらの急速な膨張により開始されるが,RHU軸を介した第二のスイッチングは比較的遅いDW運動により支配される。DW速度はMB画像から抽出され,熱的に活性化された脱ピンと流れモデルに基づいて解析される。2つの重要なパラメータ,すなわち活性化体積とDW移動度の値を推定し,文献からの値と比較した。それらは10Kでそれぞれ(28nm)~3および0.35nm s~1Oeである。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  その他の無機化合物の磁性 
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