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J-GLOBAL ID：201802271164937860   整理番号：18A0241692

ジクロロシランおよびヘキサクロロジシランを用いた原子層堆積法による成膜反応メカニズムの研究

著者 (2件)： 村田逸人 (大陽日酸) ,  鈴木克昌 (大陽日酸)
資料名： 大陽日酸技報(Web)  (Taiyo Nippon Sanso Technical Report (Web))
号： 36  ページ： WEB ONLY  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： U0260A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・ヘキサクロロジシラン(HCDS)のSiN-原子層堆積法(ALD)の成膜特性,反応機構およびジクロロシラン(DCS)の場合との比較および低温成膜への有用性の検討などの紹介。
・管状炉内部に設置したSi基板上にHCDS/NH₃またはDCS/NH₃を用いる薄膜形成装置の利用。
・550°Cで屈折率1.8が得られることによる良質なSiN膜の確認。
・吸着表面における窒化反応および逐次反応の反応機構の考察。
・HCDSが低温成膜に有用なSi源であることの認定。

シソーラス用語： ケイ素化合物 ,  塩化ケイ素 ,  *窒化ケイ素 ,  *化学蒸着 ,  *製膜 ,  ウエハ【IC】 ,  反応機構
準シソーラス用語： ケイ素ウエハ ,  ジクロロシラン ,  ヘキサクロロジシラン ,  *原子層堆積

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (3件)：

• V. Miikkulainen, M. Leskela, M. Ritala, and R. L. Puurunen. J. Appl. Phys., 2013, 113, 021301.
• 村田逸人, 鈴木克昌. 原子層堆積法によるシリコン窒化膜形成の反応メカニズム検討. 大陽日酸技報, 2014, 33.
• H. Murata, K. Suzuki, Reaction Mechanism of ALD-SiN Process Based on Quantum Chemical Calculation Comparing to Experimental Results. The 38^th International Symposium on Dry Process (2016).

タイトルに関連する用語 (6件)： ジクロロシラン ,  ヘキサクロロジシラン ,  原子層堆積法 ,  成膜 ,  反応メカニズム ,  研究