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J-GLOBAL ID：201802271309245547   整理番号：18A1884336

In/Si(111)-(√7×√3)のフェルミ面における特異なラシュバスピンテクスチャ

著者 (9件)： 小林宇宏 (千葉大 大学院) ,  中田慶隆 (千葉大 大学院) ,  矢治光一郎 (東大 物性研) ,  獅子堂達也 (Univ. Wisconsin-Milwaukee) ,  吉澤俊介 (物質・材料研究機構) ,  小森文夫 (東大 物性研) ,  辛埴 (東大 物性研) ,  内橋隆 (物質・材料研究機構) ,  坂本一之 (千葉大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 73  号： 2  ページ： ROMBUNNO.12aC116-8  発行年： 2018年09月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *インジウム ,  *金属薄膜 ,  ケイ素 ,  層 ,  Fermi面 ,  スピン分極 ,  効果 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  *バンド構造 ,  計算 ,  Rashba効果 ,  二原子層 ,  第一原理計算 ,  ARPES
準シソーラス用語： スピン分解光電子分光法 ,  角度分解光電子分光法

分類 (1件)： 金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  フェルミ面