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J-GLOBAL ID：201802272082905834   整理番号：18A1682529

Mg及びNイオン注入によるβ-Ga_2O_3のアクセプタドーピング【JST・京大機械翻訳】

Acceptor doping of β-Ga₂O₃ by Mg and N ion implantations

著者 (7件)： Wong Man Hoi (National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan) ,  Lin Chia-Hung (National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan) ,  Kuramata Akito (Tamura Corporation, 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Yamakoshi Shigenobu (Tamura Corporation, 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Murakami Hisashi (Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Kumagai Yoshinao (Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Higashiwaki Masataka (National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 10  ページ： 102103-102103-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgとNによるβ-Ga_2O_3の深いアクセプタドーピングを,n型バルク基板への不純物イオンの注入によって実証した。系統的な物理的および電気的特性化を行い,N_2雰囲気中,1000~1200°Cでの熱アニーリングによる注入損傷結晶の回復とドーパント原子の電気的活性化を実証した。NはMgよりはるかに低い熱拡散率を示すことが分かり,従って,不純物プロフィルを著しく変えることなくN活性化効率を最大化するためにより高いアニーリング温度の使用を可能にした。結果として,n-Ga_2O_3/Ga_2O_3:N/n-Ga_2O_3構造は,そのMgドープ対応物よりも,その末端を横切ってはるかに大きな電圧を維持することができた。β-Ga_2O_3のアクセプタドーピングのためのイオン注入技術の開発は,種々の高電圧β-Ga_2O_3デバイスを設計し,エンジニアリングするためのユニークな機会を作り出す。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アクセプタ ,  *ドーピング ,  結晶 ,  不純物 ,  温度伝導率 ,  電圧 ,  *マグネシウム ,  電気的性質 ,  *イオン注入 ,  ドーパント ,  アニーリング温度 ,  熱アニーリング ,  不純物イオン
準シソーラス用語： 電気的活性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： Mg ,  Nイオン ,  注入