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J-GLOBAL ID：201802272219242933   整理番号：18A0917621

BAlN/AlGaNヘテロ構造における微細構造と転位挙動の解明

Revealing microstructure and dislocation behavior in BAlN/AlGaN heterostructures

著者 (12件)： SUN Haiding (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  WU Feng (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  PARK Young Jae (Georgia Inst. of Technol., GA, USA) ,  AL TAHTAMOUNI T. M. (Qatar Univ., Doha, QAT) ,  LIAO Che-Hao (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  GUO Wenzhe (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  ALFARAJ Nasir (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  LI Kuang-Hui (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  ANJUM Dalaver H. (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  DETCHPROHM Theeradetch (Georgia Inst. of Technol., GA, USA) ,  DUPUIS Russell D. (Georgia Inst. of Technol., GA, USA) ,  LI Xiaohang (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 1  ページ： 011001.1-011001.4  発行年： 2018年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 個々のB_0.14Al_0.86N層内の転位(エッジと混合型)の連続生成に起因する,20対のB_0.14Al_0.86N/Al_0.70Ga_0.30N多重積層ヘテロ構造(MSHs)における,c軸に沿って転位密度が増加する,微細構造と転位挙動を明らかにした。MSH界面では,貫通転位は表面に広がるV形状ピットのストリングを伴い,界面粗面化と表面柱状特徴の形成をもたらした。歪マップは,B_0.14Al_0.86NおよびAl_0.70Ga_0.30N層において,それぞれ約1.5%の引張歪と1%の圧縮歪を示した。双晶構造が観察され,MSHは最終的に単結晶から多結晶に変化した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *ホウ素 ,  *アルミニウム化合物 ,  *素子構造 ,  *微細構造 ,  *転位【結晶】 ,  刃状転位 ,  転位密度 ,  貫通転位 ,  穴 ,  *歪 ,  双晶 ,  単結晶 ,  多結晶 ,  *MOCVD
準シソーラス用語： ピット ,  *ヘテロ構造 ,  圧縮歪 ,  引張歪 ,  結晶微細構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (23件)：

• M. Zhang and X. Li, Phys. Status Solidi B 254, 1600749 (2017).
• X. Li, H. Xie, J. H. Ryou, F. A. Ponce, T. Detchprohm, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 107, 241109 (2015).
• M. Abid, T. Moudakir, G. Orsal, S. Gautier, A. E. Naciri, Z. Djebbour, J.-H. Ryou, G. Patriarche, L. Largeau, H. J. Kim, Z. Lochner, K. Pantzas, D. Alamarguy, F. Jomard, R. D. Dupuis, J.-P. Salvestrini, P. L. Voss, and A. Ougazzaden, Appl. Phys. Lett. 100, 051101 (2012).
• H. Sun, Y. Park, K.-H. Li, C. G. Torres-Castanedo, A. Alowayed, T. Detchprohm, R. D. Dupuis, and X. Li, Appl. Phys. Lett. 111, 122106 (2017).
• T. Akasaka and T. Makimoto, Appl. Phys. Lett. 88, 041902 (2006).

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  ヘテロ構造 ,  微細構造 ,  転位 ,  挙動