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J-GLOBAL ID：201802273060583651   整理番号：18A1495845

単一成分の分子伝導体[Pd(dddt)₂]におけるDirac電子の伝導率と抵抗率

Conductivity and Resistivity of Dirac Electrons in Single-Component Molecular Conductor [Pd(dddt)₂]

著者 (3件)： SUZUMURA Yoshikazu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  CUI HenBo (RIKEN, Saitama, JPN) ,  KATO Reizo (RIKEN, Saitama, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 87  号： 8  ページ： 084702.1-084702.6  発行年： 2018年08月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 圧力下の単一成分分子伝導体[Pd(dddt)₂]において見いだされたDirac電子を,ノードライン半金属あるいは絶縁体を与えるP GPaのいくつか圧力に対して伝導率と抵抗率を計算して調べた。伝導率の温度(T)依存性を,不純物散乱による減衰エネルギーを導入した,P依存移動エネルギーのタイトバインディングモデルを使って調べた。伝導率は圧力下,低TでDiracコーンが原因となって線形に高くなるが,高Tでは殆ど一定に留まることを示した。さらに,低圧では,抵抗率を計算して調べた非従来型のギャップが原因となって伝導率は抑制される。抵抗率は,Diracコーンで記述される場合でも擬ギャップ型の挙動を見せる。そのような挙動は,ノードライン半金属の新しい役割とそれに続くバンドギャップとは異なる擬ギャップが起源となる。この結果から,実験で観察された電気抵抗率を合理的に説明できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *パラジウム錯体 ,  有機伝導体 ,  電子 ,  *電気伝導率 ,  *電気抵抗率 ,  強束縛近似 ,  電子状態 ,  擬ギャップ ,  半金属 ,  バンドギャップ ,  温度依存性 ,  圧力効果 ,  Diracコーン ,  *Dirac電子 ,  ジチイン誘導体 ,  ジチオール類
準シソーラス用語： ジチオール誘導体 ,  ノードライン半金属 ,  有機導体

分類 (1件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (1件)： 5,6-ジヒドロ-1,4-ジチイン-2,3-ビスチオール

引用文献 (22件)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature 438, 197 (2005).
• K. Kajita, Y. Nishio, N. Tajima, Y. Suzumura, and A. Kobayashi, J. Phys. Soc. Jpn. 83, 072002 (2014).
• R. Kato, H. B. Cui, T. Tsumuraya, T. Miyazaki, and Y. Suzumura, J. Am. Chem. Soc. 139, 1770 (2017).
• S. Katayama, A. Kobayashi, and Y. Suzumura, J. Phys. Soc. Jpn. 75, 054705 (2006).
• T. Mori, A. Kobayashi, Y. Sasaki, H. Kobayashi, G. Saito, and H. Inokuchi, Chem. Lett. 13, 957 (1984).

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子 ,  PD ,  Dirac電子 ,  伝導率 ,  抵抗率