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J-GLOBAL ID：201802273307052891   整理番号：18A0026568

紫外線誘導プラズマ陽極酸化による酸化ハフニウムの性質【Powered by NICT】

Properties of Hafnium Oxide Received by Ultra Violet Stimulated Plasma Anodization

著者 (3件)： Kushitashvili Zurab (Institute of Micro and Nanoelectronics, Tbilisi, Georgia) ,  Bibilashvili Amiran (Institute of Micro and Nanoelectronics, Tbilisi, Georgia) ,  Biyikli Necmi (University of Connecticut, Storrs, CT, USA)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 17  号： 4  ページ： 667-671  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外(UV)-誘導プラズマ陽極処理によって受信された酸化ハフニウム(HfO_2)の電気的および構造的特性を調べた。プラズマ陽極酸化プロセスは,比較的低い温度(400 °C)で行い,クリーン,真空,容易なプロセスとして区別される。この技術により5~10分で結果は50~100nm厚酸化物層である。著者らの実験は,シリコン基板と酸化後プラズマ陽極酸化による上に堆積した金属としてのハフニウムを用いた。UVランプが,UV刺激なしで成長させた,プロセス効率が低いときHfO_2の成長速度が高かった。電気特性を容量-電圧(CV)技術によって特性化し,誘電定数(ε=18.5),フラットバンド電圧,しきい値電圧,バルク電位,仕事関数,酸化物有効電荷,電荷濃度を計算した。I V特性は無視できる漏れ電流を明らかにした。C-VとI-V測定は,Keithley装置-半導体パラメータアナライザー4200SCSと酸化物の厚さは反射率計で測定した MprobeVisシステムで行った。X線光電子分光法は,酸化物の元素分析を示し,データからHf/Oの比を計算した。X線回折は,酸化ハフニウムの結晶構造の高品質を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流電圧特性 ,  *誘導結合プラズマ ,  誘電率 ,  X線光電子分光法 ,  漏れ電流 ,  電圧 ,  *ハフニウム ,  *酸化 ,  構造特性 ,  陽極酸化処理 ,  X線回折 ,  キャラクタリゼーション ,  *酸化ハフニウム
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  *プラズマ電解酸化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 紫外線 ,  誘導 ,  プラズマ陽極酸化 ,  酸化ハフニウム ,  性質