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J-GLOBAL ID：201802275078353150   整理番号：18A1200865

酸化グラフェンおよび剥離酸化グラファイト上への金属硫化物の成長のための一般的経路【JST・京大機械翻訳】

A General Route for Growing Metal Sulfides onto Graphene Oxide and Exfoliated Graphite Oxide

著者 (5件)： Lopes Joana L. (Department of Chemistry, CICECO-Aveiro Institute of Materials, University of Aveiro, Campus de Santiago, 3810-193 Aveiro, Portugal) ,  Estrada Ana C. (Department of Chemistry, CICECO-Aveiro Institute of Materials, University of Aveiro, Campus de Santiago, 3810-193 Aveiro, Portugal) ,  Fateixa Sara (Department of Chemistry, CICECO-Aveiro Institute of Materials, University of Aveiro, Campus de Santiago, 3810-193 Aveiro, Portugal) ,  Ferro Marta (Department of Chemistry, CICECO-Aveiro Institute of Materials, University of Aveiro, Campus de Santiago, 3810-193 Aveiro, Portugal) ,  Trindade Tito (Department of Chemistry, CICECO-Aveiro Institute of Materials, University of Aveiro, Campus de Santiago, 3810-193 Aveiro, Portugal)
資料名： Nanomaterials (Web)  (Nanomaterials (Web))
巻： 7  号： 9  ページ： 245  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7252A  ISSN： 2079-4991  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン系材料は,それらの独特の特性により多くの技術に対する選択的材料である。また,半導体ナノ結晶は,いくつかの応用に有用なサイズ依存特性のために広く研究されている。両タイプの材料を結合させることにより,このようなハイブリッドナノ構造における相乗的性質を調べる新しい応用が期待される。本研究は,半導体金属硫化物のナノ相で修飾された酸化グラフェン(GO)シートを調製するための一般的な湿式化学法を報告する。この方法は,単一分子前駆体として金属ジアルキルジチオカルバマート錯体を用いることにより,GO上への金属硫化物のin situ成長を可能にする。特に,半導体ナノ結晶の成長のための不均一基板としてのGOの役割を,Raman分光法とイメージング法を用いて調べた。この方法は,剥離グラファイト酸化物(EGO)のようなより大きなスケールで容易に調製される他のグラフェン系材料にさらに拡張された。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *グラフェン ,  画像処理 ,  Raman分光法 ,  ナノ結晶 ,  ナノ構造 ,  半導体 ,  錯体 ,  前駆体
準シソーラス用語： 単一分子 ,  化学法 ,  半導体ナノ結晶 ,  *金属硫化物 ,  *酸化グラファイト ,  *酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 酸化グラフェン ,  金属硫化物ナノ結晶 ,  Raman分光法

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

引用文献 (49件)：

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タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化グラフェン ,  酸化グラファイト ,  金属硫化物 ,  成長 ,  経路