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J-GLOBAL ID:201802275551639615   整理番号:18A1045760

スピンオン低kポリマーによるTSVライナー誘電体技術【JST・京大機械翻訳】

TSV liner dielectric technology with spin-on low-k polymer
著者 (6件):
資料名:
巻: 2018  号: ICEP-IAAC  ページ: 346-349  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,BCB(ベンゾシクロブテン)樹脂をTSVライナー誘電体のためのスピンオン低kポリマとして用いた。BCBは8μmの直径と40μmの深さ(アスペクト比:5)の深いSi孔の側壁上に完全に被覆されている。BCBのステップ被覆率はスピン回転速度,スピンコーティング時間,および変形圧力を調整することにより高く制御可能であり,スピンコーティング前に深いSi孔に形成された気泡を除去する。BCBライナ誘電体を有するCu-TSVは,その後の電気めっきおよび電気めっきCu技術によって首尾よく形成される。この費用対効果の高いスピン-オンBCB技術は,低容量TSVを与えるために,250C以下の低温でのビア-最後TSV作製に適用されるであろう。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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