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J-GLOBAL ID：201802275903174736   整理番号：18A1790708

分子線エピタクシー装置を用いたCu₂ZnSnS₄形成に及ぼす硫黄フラックス中アニーリングの影響

Effect of annealing in sulfur flux on Cu₂ZnSnS₄ formation by using molecular beam epitaxy system

著者 (6件)： SHIMAMUNE Yosuke (National Inst. of Technol., Nagaoka Coll., Niigata, JPN) ,  JIMBO Kazuo (National Inst. of Technol., Nagaoka Coll., Niigata, JPN) ,  NISHIDA Genki (National Inst. of Technol., Nagaoka Coll., Niigata, JPN) ,  MURAYAMA Masanari (National Inst. of Technol., Nagaoka Coll., Niigata, JPN) ,  TAKEUCHI Akiko (National Inst. of Technol., Nagaoka Coll., Niigata, JPN) ,  KATAGIRI Hironori (National Inst. of Technol., Nagaoka Coll., Niigata, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 8S3  ページ： 08RC10.1-08RC10.5  発行年： 2018年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *スズ化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *化合物半導体 ,  *銅化合物 ,  *硫化物 ,  *フラックス【流束】 ,  *硫黄 ,  *焼なまし ,  同時蒸着 ,  Ramanスペクトル ,  *硫化銅 ,  第二相 ,  深さ分布 ,  *硫化ケステライト
準シソーラス用語： *分子線エピタクシー法 ,  *CZTS ,  *アニーリング処理 ,  共蒸着

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (30件)：

• K. Ito and T. Nakazawa, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 2094 (1988).
• F. Jiang, H. Shen, and W. Wang, J. Electron. Mater. 41, 2204 (2012).
• M. Z. Ansari and N. Khare, Mater. Sci. Semicond. Process. 63, 220 (2017).
• W. Wang, M. T. Winkler, O. Gunawan, T. Gokmen, T. K. Todorov, Y. Zhu, and D. B. Mitzi, Adv. Energy Mater. 4, 1301465 (2014).
• S. Tajima, M. Umehara, M. Hasegawa, T. Mise, and T. Itoh, Prog. Photovoltaics 25, 14 (2017).

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子線エピタクシー ,  Cu2ZnSnS4 ,  硫黄 ,  フラックス ,  アニーリング