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文献
J-GLOBAL ID:201802275903174736   整理番号:18A1790708

分子線エピタクシー装置を用いたCu2ZnSnS4形成に及ぼす硫黄フラックス中アニーリングの影響

Effect of annealing in sulfur flux on Cu2ZnSnS4 formation by using molecular beam epitaxy system
著者 (6件):
資料名:
巻: 57  号: 8S3  ページ: 08RC10.1-08RC10.5  発行年: 2018年08月
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
分類
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太陽電池  ,  半導体薄膜 
引用文献 (30件):
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