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J-GLOBAL ID：201802275954782564   整理番号：18A0795947

パリレン不動態化によるエピタキシャルグラフェン表面伝導率と量子Hallデバイス安定性の調査【JST・京大機械翻訳】

Examining epitaxial graphene surface conductivity and quantum Hall device stability with Parylene passivation

著者 (18件)： Rigosi Albert F. (National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States) ,  Liu Chieh-I (National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States) ,  Liu Chieh-I (Graduate Institute of Applied Physics, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Wu Bi Yi (National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States) ,  Wu Bi Yi (Graduate Institute of Applied Physics, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Lee Hsin-Yen (National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States) ,  Lee Hsin-Yen (Theiss Research, La Jolla, CA 92037, United States) ,  Kruskopf Mattias (National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States) ,  Kruskopf Mattias (Joint Quantum Institute, University of Maryland, College Park, MD 20742, United States) ,  Yang Yanfei (National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States) ,  Yang Yanfei (Joint Quantum Institute, University of Maryland, College Park, MD 20742, United States) ,  Hill Heather M. (National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States) ,  Hu Jiuning (National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States) ,  Bittle Emily G. (National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States) ,  Obrzut Jan (National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States) ,  Hight Walker Angela R. (National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States) ,  Elmquist Randolph E. (National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States) ,  Newell David B. (National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, MD 20899, United States)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 194  ページ： 51-55  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 均一で単結晶の単層エピタキシャルグラフェン(EG)は量子化Hall抵抗(QHR)標準の進歩のための最も有望な候補の一つである。測定のための有用な手段としてのEGベースの量子Hallデバイスの電気的特性化のための残った挑戦は,それらが空気に暴露された時に,大気分子ドーパントとの相互作用のために電気的に不安定であることである。電荷キャリア密度の変化は,表面伝導率の変化,電荷キャリア移動度の変化により明らかになり,n型からp型伝導への転移をもたらす可能性がある。本研究では,EGの不動態化層としてパリレンCとパリレンNの使用を評価した。EG量子Hallデバイスの電子輸送とEGのミリメータサイズ領域の非接触マイクロ波摂動測定を,不動態化層の有効性を試験するために,裸とパリレン被覆試料の両方で行った。パリレン堆積による不動態化の著しい改善を示す報告結果は,安定な電気的性質を有するミリメータスケールグラフェン素子の大量生産のための方法を示唆する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  単一層 ,  マイクロ波 ,  被覆 ,  *不動態化 ,  キャリア移動度 ,  *Hall素子 ,  ドーパント ,  相互作用 ,  単結晶 ,  量子化
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  電荷キャリア ,  *表面伝導率 ,  *Parylene , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エピタキシャルグラフェン ,  量子Hall効果 ,  輸送モビリティ ,  表面伝導率 ,  パリレン

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： パリレン ,  不動態化 ,  エピタキシャルグラフェン ,  表面伝導率 ,  量子 ,  Hallデバイス ,  安定性 ,  調査