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J-GLOBAL ID：201802276935569071   整理番号：18A2074620

金属Cd源を用いた気相エピタクシーによる(211)Si基板上のII/VI上のCdTeの初期成長における表面形態の依存性【JST・京大機械翻訳】

Dependence of surface morphology at initial growth of CdTe on the II/VI on (2 1 1) Si substrates by vapor phase epitaxy using metallic Cd source

著者 (7件)： Iso Kenji (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Iso Kenji (R&TD Center, Tsukuba Plant, Mitsubishi Chemical Corporation, Ushiku, Ibaraki 300-1295, Japan) ,  Gokudan Yuya (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Shiraishi Masumi (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Nishikado Minae (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Murakami Hisashi (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Koukitu Akinori (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 506  ページ： 185-189  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (211)Si基板上に厚さ20~500nmのCdTeの初期成長を調べ,ヘテロエピタキシャル成長の界面におけるCdTeの成長を観察した。初期成長における表面形態のII/VIへの依存性と成長時間を評価した。界面における(133)表面配向は,(211)Si基板上に成長させたCdTe膜において示され,これはII/VIに無関係であった。36の比較的高いII/VIに対して,(211)配向を有するヒロックが(133)配向を有する下層に観察された。(211)配向を持つCdTeは,下層における横方向合体により成長中に支配的であった。(133)と(211)CdTe膜の間の配向の(211)Si基板上への依存性を,ステップ上のステップ流成長とテラス上の自発核形成の間の差によって説明した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  下層 ,  *気相成長 ,  ステップ流 ,  *エピタクシー ,  *テルル化カドミウム ,  核形成 ,  *カドミウム ,  テラス ,  *表面形態 ,  *初期成長 ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： ヒロック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1 結晶形態 ,  A3 気相エピタクシー ,  B1 カドミウム化合物 ,  B2 半導体II-VI材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cd ,  気相エピタクシー ,  Si基板 ,  CdTe ,  初期成長 ,  表面形態 ,  依存性