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J-GLOBAL ID：201802277064195079   整理番号：18A2083808

すずペロブスカイト薄膜における欠陥に起因するI-Vヒステリシス挙動のモデリングと解析【JST・京大機械翻訳】

Modeling and analysis of I-V hysteresis behaviors caused by defects in tin perovskite thin films

著者 (4件)： Noma Taishi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan) ,  Taguchi Dai (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan) ,  Manaka Takaaki (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan) ,  Iwamoto Mitsumasa (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 17  ページ： 175501-175501-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷変調分光法(CMS)と結合したインピーダンス分光法を用いて,錫ペロブスカイト(MASnI_3,MA:CH_3NH_3)薄膜のI-Vヒステリシス挙動を解析した。ITO/MASnI_3/Al素子の容量-電圧(C-V)特性は,I-V特性によって示唆されたトラップ充填過程に従ってヒステリシス挙動を示した。CMS測定は,MASnI_3のエネルギーバンドギャップの拡大を示した。これらの結果に基づいて,伝導帯の底近くの状態をトラップするモデルを提案し,Sn空格子点で生じるトラップ充填過程が,錫ペロブスカイト膜の電気的性質と,この素子のI-VとC-V特性のヒステリシスに大きく寄与すると結論した。MASnI_3膜におけるSn空孔のような欠陥の減少により,I-Vヒステリシスは抑制された。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  バンドギャップ ,  *スズ ,  *モデリング ,  電気的性質 ,  伝導バンド ,  *ヒステリシス ,  電圧 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： インピーダンス分光法 ,  電荷変調分光法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (9件)： すず ,  ペロブスカイト ,  薄膜 ,  欠陥 ,  起因 ,  ヒステリシス ,  挙動 ,  モデリング ,  解析