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J-GLOBAL ID：201802277329929006   整理番号：18A2234372

光浸漬によるInGaP太陽電池における放射線劣化の回復【JST・京大機械翻訳】

Recovery of Radiation Degradation in InGaP Solar Cells by Light Soaking

著者 (6件)： Shibata Yuichi (Japan Aerospace Exploration Agency, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Imaizumi Mitsuru (Japan Aerospace Exploration Agency, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Sato Shin-ichiro (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, Takasaki, Gunma, Japan) ,  Ohshima Takeshi (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, Takasaki, Gunma, Japan) ,  Akiyoshi Masafumi (Osaka Prefecture University, Sakai, Osaka, Japan) ,  Okuda Shuichi (Osaka Prefecture University, Sakai, Osaka, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： WCPEC  ページ： 1576-1579  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,1MeV電子を照射したInGaP太陽電池がAM0光浸漬後の開回路電圧の顕著な回復を示すことを報告する。光浸漬による欠陥減少とキャリア濃度プロファイルの変化の光浸漬強度依存性は,光生成キャリアの再結合が回復に重要な役割を果たすことを示唆した。0.2MeV電子はInGaP中のリンの反跳にのみ関与するので,電圧回復の活性化エネルギーと0.2,0.4,及び1MeVの電子照射エネルギーの間の相関の欠如は,放射線誘起インジウム及びガリウム関連欠陥の消滅が回復に寄与しないことを意味する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  光生成 ,  *浸漬 ,  電子照射 ,  リン ,  再結合 ,  活性化エネルギー ,  キャリア密度 ,  電圧 ,  *放射線
準シソーラス用語： 強度依存性 ,  開回路電圧 ,  *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 浸漬 ,  InGaP ,  太陽電池 ,  放射線 ,  回復