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J-GLOBAL ID：201802277869533117   整理番号：18A0118527

シリコン基板上に形成した強誘電体厚膜におよぼすプロトンビーム照射の影響

Modification effects of ferroelectric thick-film properties on silicon substrates by proton beam irradiation

著者 (3件)： 平出惇 (芝浦工大 工) ,  山口正樹 (芝浦工大 工) ,  増田陽一郎 (八戸工大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 372(EID2017 11-29)  ページ： 57-62  発行年： 2017年12月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン基板上に堆積した強誘電体薄膜は,不揮発性メモリ,フォトニック結晶,圧電MEMSなどへの応用が期待されている。しかし,圧電応用をするにあたっては,一般に厚膜のパターニングを行う必要がある。電子よりも約1800倍重たい素粒子であるプロトンは,被照射物質内部において散乱されにくいため,電子ビーム露光よりも優れた露光光源になると考えられる。そこで我々は,プロトンビームを用いた新たな露光・加工技術の提案をしてきた。本報告では,シリコン基板上に形成された非鉛強誘電体であるチタン酸ビスマス(Bi₄Ti₃O₁₂)に,照射プロトンビームが与える効果について検討を行った。X線回折の結果から,照射プロトンビーム量に依存して,チタン酸ビスマスの結晶性が制御できることが明らかになった。(著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *ケイ素 ,  *強誘電体 ,  *厚膜 ,  陽子ビーム ,  *陽子照射 ,  *放射線効果 ,  不揮発性メモリ ,  フォトニック結晶 ,  圧電素子 ,  MEMS ,  *パターン形成 ,  チタン酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  *リソグラフィー ,  X線回折 ,  *結晶度 ,  *微細加工 ,  *改質
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  圧電MEMS ,  チタン酸ビスマス ,  *陽子ビーム描画

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (14件)：

• 岡崎清,′′セラミック誘電体工学′′,学献社,1969.
• 一之瀬昇,′′電気電子機能材料′′,オーム社,2013.
• CT. Leondes, ′′Mems/Nems Handbook Techniques and Applications Vol.5′′, Springer Science+Business Media, Inc., 2006.
• 塩嵜忠,′′圧電材料の基礎と応用′′,シーエムシー出版,2008.
• M. Miyayama, ′′Function Design of Bismuth Layer-Structured Ferroelectrics′′, Journal of Ceramic Society of Japan, pp.583-589, 2006

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン基板 ,  強誘電体 ,  厚膜 ,  プロトンビーム