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J-GLOBAL ID：201802278611341328   整理番号：18A2041514

単結晶シリコンのMEMS制御へき開により作製した大面積ナノギャップ中の真空放出【JST・京大機械翻訳】

Vacuum emission in large-area nanogap fabricated by MEMS-controlled cleavage of single crystal silicon

著者 (4件)： Banerjee Amit (Department of micro-engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Hirai Yoshikazu (Department of micro-engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Tsuchiya Toshiyuki (Department of micro-engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Tabata Osamu (Department of micro-engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IVNC  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノギャップを横切る電子のトンネリングによって支配されるナノスケール熱トンネル放出(TTE)現象は,チップ可積分固体状態冷凍から廃熱エネルギー収穫までの範囲の多くの応用を約束する。しかし,大きな重なり領域を横切る均一なナノギャップをもつ大きな放出面積電極対を生成するための現在の技術の能力は,主要な課題のままである。放出電流の極端な距離感度は,TTEエネルギー交換をバルク規模の応用に対して重要ではない。この問題を克服するために,大面積Si電極対を作製するために,マイクロ電気機械システム(MEMS)に基づく制御された平面間へき開法を提案した。シリコンマイクロビームは集積熱アクチュエータを用いて〈111〉面を横切って切断される。それらの間にナノギャップ(~100nm)を含むへき開面を放出電極として用いた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 凍結 ,  エネルギー移動 ,  トンネル効果 ,  *MEMS ,  ケイ素 ,  固相 ,  アクチュエータ ,  廃熱
準シソーラス用語： マイクロビーム ,  放出電流 ,  エネルギーハーベスティング ,  ナノスケール ,  *ナノギャップ ,  *大面積 ,  *単結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： 単結晶シリコン ,  MEMS ,  へき開 ,  作製 ,  大面積 ,  ナノギャップ ,  真空 ,  放出