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J-GLOBAL ID：201802278995427949   整理番号：18A0630903

Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面-バルク電子状態変化

著者 (13件)： 井村将隆 (物質・材料研究機構) ,  津田俊輔 (物質・材料研究機構) ,  長田貴弘 (物質・材料研究機構) ,  山下良之 (物材機構 SPring-8) ,  吉川英樹 (物材機構 SPring-8) ,  小林啓介 (物材機構 SPring-8) ,  小出康夫 (物質・材料研究機構) ,  山口智広 (工学院大) ,  山口智広 (立命館大) ,  金子昌充 (立命館大) ,  上松尚 (立命館大) ,  荒木努 (立命館大) ,  名西やすし (立命館大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.17p-E202-19  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  ドーピング ,  マグネシウム ,  インジウム ,  化学組成 ,  表面性状 ,  *電子状態 ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： *InGaN

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： Mg ,  ドーピング ,  組成 ,  InGaN ,  バルク ,  電子状態