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J-GLOBAL ID:201802281673683375   整理番号:18A0575364

n型伝導を持つ薄膜に及ぼす焼なましのMn含有量と効果を変化させることによる強磁性(Zn,Sn,Mn)As_2薄膜における伝導型の制御【Powered by NICT】

Control of conduction type in ferromagnetic (Zn,Sn,Mn)As2 thin films by changing Mn content and effect of annealing on thin films with n-type conduction
著者 (7件):
資料名:
巻: 487  ページ: 34-39  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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InP基板上の(Zn,Sn,Mn)分子ビームエピタクシー(MBE)により成長させたAs_2薄膜における伝導型は,Mn含有量の関数としてのp型から制御できるn型であることが分かった。n型(Zn,Sn,Mn)As_2薄膜は,Mnドーピング約11cat.%以上で得られた。過剰Mnドーピングにより導入したMn格子間原子(Mn_I)はZnとSnカチオン原子と四As原子で囲まれた四面体中空空間,(Zn,Sn,Mn)As_2におけるドナーとして働くことを期待され,n型伝導が得られた,に位置していることが示唆された。n型(Zn,Sn,Mn)As_2薄膜の構造的,電気的および磁気的性質に及ぼす焼なましの影響をアニーリング温度と時間の関数として調べた。アニーリング温度が320°Cの成長温度よりかなり高い場合も,薄膜の磁気特性は安定を保っていることを明らかにした。はZnとSn原子で囲まれたMn_I複合体である高温アニーリングの間に熱的に安定であることを示唆している。n型(Zn,Sn,Mn)As_2薄膜はn型スピン分極注入器としての応用に適している可能性がある。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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半導体薄膜  ,  酸化物薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導 

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