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J-GLOBAL ID：201802282349549016   整理番号：18A1028597

熱アニーリング中のp+-ポリSiからc-Siへのドーパント拡散【JST・京大機械翻訳】

Dopant diffusion from p⁺-poly-Si into c-Si during thermal annealing

著者 (9件)： Krugener Jan (Institute of Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, D-30167 Hannover, Germany) ,  Larionova Yevgeniya (Institute for Solar Energy Research Hamelin, D-31860 Emmerthal, Germany) ,  Tetzlaff Dominic (Institute of Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, D-30167 Hannover, Germany) ,  Wolpensinger Bettina (Institute for Solar Energy Research Hamelin, D-31860 Emmerthal, Germany) ,  Reiter Sina (Institute for Solar Energy Research Hamelin, D-31860 Emmerthal, Germany) ,  Turcu Mircea (Institute for Solar Energy Research Hamelin, D-31860 Emmerthal, Germany) ,  Peibst Robby (Institute of Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, D-30167 Hannover, Germany) ,  Kahler Jan-Dirk (Centrotherm photovoltaics AG, D-30179 Hannover, Germany) ,  Wietler Tobias (Institute of Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, D-30167 Hannover, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正孔収集p-多結晶シリコン/SiO_x/結晶シリコン接合のような不動態化接合は,それらの優れた不動態化と接触特性を活性化するための熱活性化を必要とする。ここでは,高度にドープされたポリSi層からSiへのホウ素の拡散が,しばしば不動態化品質を損なうと考えられている。対照的に,少なくとも,結晶シリコンへのホウ素のわずかな拡散が,最適化されたアニーリング条件に対して存在することを示した。低圧化学蒸着により堆積したその場p+ドープポリシリコンに対して,11fA/cm2の低いエミッタ飽和電流密度を達成した。さらに,基板内のポリシリコン層と拡散領域が電気的に接続されていることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接合 ,  ホウ素 ,  *ケイ素 ,  不動態化 ,  正孔 ,  最適化 ,  *ポリシリコン ,  ドーピング ,  LPCVD ,  *ドーパント ,  品質
準シソーラス用語： 飽和電流密度 ,  結晶シリコン ,  熱活性化 ,  *熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱アニーリング ,  ポリSi ,  Si ,  ドーパント ,  拡散