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J-GLOBAL ID：201802283473121438   整理番号：18A1789893

エレクトロニクス・実装プロセス工学

著者 (4件)： 薦田康夫 (三井金属) ,  齊藤丈靖 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  羽深等 (横浜国大) ,  大野勝彦 (JNC)
資料名： 化学工学  (Chemical Engineering of Japan)
巻： 82  号： 10  ページ： 601-604  発行年： 2018年10月05日 
JST資料番号： F0099A  ISSN： 0375-9253  CODEN： KKGKA4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・「化学工学年鑑2018」の発刊に関連してエレクトロニクスデバイスと新材料,半導体結晶プロセス,リチウムイオン二次電池材料の研究・技術動向などの紹介。
・微細加工にEUV(極端紫外線)リソグラフィーを導入することでArF液浸リソグラフィーの場合と比べてマスク数を25%以上削減する7nm世代のFinFET技術。
・SiO₂にAsをドーピングした材料をセレクタに用いた25nmテクノロジーのクロスポイントReRAM技術。
・「SiCパワーデバイス:社会実装へ向けた現状と課題」研究会におけるSiC結晶とパワーデバイスの実用化,自動車用パワーデバイス,SiCデバイスの市場展開,SiC単結晶基板,SiCエピウエハの量産に関する現状と課題の報告。
・引き続き高い成長を維持し,2015年には2016年比約3.7倍の8.2兆円に拡大すると予想されるリチウムイオン二次電池市場。

シソーラス用語： *電子装置 ,  結晶 ,  *半導体素子 ,  *リチウムイオン電池 ,  FET【トランジスタ】 ,  微細加工 ,  RAM【メモリ】
準シソーラス用語： FinFET ,  ReRAM ,  SiCパワーデバイス ,  *半導体デバイス ,  半導体結晶

分類 (4件)： 電子工学一般  (NC01000A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  二次電池  (YB04030K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (32件)：

• https://www.gartner.com/newsroom/id/3848670
• http://www.semi.org/jp/node/82531
• http://www.semi.org/jp/node/82791
• http://vlsisymposium.org/2017/
• https://ieeexplore.ieee.org/xpl/mostRecentIssue.jsp?punumber=7989855

タイトルに関連する用語 (3件)： エレクトロニクス ,  実装 ,  プロセス工学