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J-GLOBAL ID:201802283576644983   整理番号:18A1903933

高データレートおよび低遅延時間I/Oインタフェイスボードのための表皮効果抑制Ni-Fe/Cu電気めっき多層配線【JST・京大機械翻訳】

Skin Effect Suppressed Ni-Fe/Cu Electroplated Multilayer Wiring for High Data-Rate and Low Delay-Time I/O Interface Board
著者 (8件):
資料名:
巻: 54  号: 11  ページ: ROMBUNNO.4002705.1-5  発行年: 2018年 
JST資料番号: A0339B  ISSN: 0018-9464  CODEN: IEMGAQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,強磁性共鳴周波数を超えた負透磁率の応用について議論した。目標とする応用は,高速で低遅延のI/Oボード上の長い配線のためのスキン効果抑制技術である。0.25μm厚のNi-Feと0.51μm厚のCuから成る11.9μm厚のNi-Fe/Cu多層膜を電気めっきし,250μm厚のプリント基板上にマイクロストリップ線路(MSL)の609μm幅と40mm長の信号線にパターン化した。目標周波数は15GHzで,相対的な実部透過率は-2と推定された。長さ40mmのNi-Fe/Cu多層膜は,25GHzまでの0.7dBの小さい挿入を示し,同じ形状の銅単層MSLとほとんど同じであった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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磁性材料 

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