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J-GLOBAL ID：201802283920886275   整理番号：18A0633737

Ge(111)基板上の歪みSi_1-xGe_x膜成長と臨界膜厚の評価

著者 (4件)： 坂本優 (東京都市大) ,  山田道洋 (大阪大) ,  浜屋宏平 (大阪大) ,  澤野憲太郎 (東京都市大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.19p-P10-5  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  半導体材料 ,  *固溶体 ,  *半導体薄膜 ,  膜厚 ,  ゲルマニウム ,  歪 ,  X線回折
準シソーラス用語： ゲルマニウム基板 ,  *シリコンゲルマニウム ,  臨界膜厚

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  歪み ,  膜成長 ,  臨界 ,  膜厚 ,  評価