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J-GLOBAL ID：201802284285306817   整理番号：18A0911021

SiC/SiO₂界面近くのC=C欠陥について第一原理研究:二重結合飽和による欠陥保護

First-principles study on C=C defects near SiC/SiO₂ interface: Defect passivation by double-bond saturation

著者 (12件)： TAJIMA Nobuo (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  TAJIMA Nobuo (Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN) ,  KANEKO Tomoaki (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  KANEKO Tomoaki (Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Takahiro (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Takahiro (Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN) ,  NARA Jun (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  NARA Jun (Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN) ,  SCHIMIZU Tatsuo (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KATO Koichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OHNO Takahisa (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  OHNO Takahisa (Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 4S  ページ： 04FR09.1-04FR09.4  発行年： 2018年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *二酸化ケイ素 ,  *界面 ,  表面欠陥 ,  *密度汎関数法 ,  積層構造 ,  多層膜 ,  *半導体薄膜 ,  キャリア移動度 ,  *二重結合 ,  *水素 ,  *フッ素 ,  化学反応 ,  *表面処理
準シソーラス用語： チャネル移動度 ,  *表面保護

分類 (2件)： その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  SiO2 ,  界面 ,  欠陥 ,  第一原理 ,  研究 ,  二重結合 ,  飽和