TAJIMA Nobuo について
National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN について
TAJIMA Nobuo について
Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN について
KANEKO Tomoaki について
National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN について
KANEKO Tomoaki について
Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN について
YAMASAKI Takahiro について
National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN について
YAMASAKI Takahiro について
Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN について
NARA Jun について
National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN について
NARA Jun について
Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN について
SCHIMIZU Tatsuo について
Toshiba Corp., Kawasaki, JPN について
KATO Koichi について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
OHNO Takahisa について
National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN について
OHNO Takahisa について
Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics について
炭化ケイ素 について
化合物半導体 について
二酸化ケイ素 について
界面 について
表面欠陥 について
密度汎関数法 について
積層構造 について
多層膜 について
半導体薄膜 について
キャリア移動度 について
二重結合 について
水素 について
フッ素 について
化学反応 について
表面処理 について
チャネル移動度 について
表面保護 について
その他の無触媒反応 について
固体デバイス製造技術一般 について
SiC について
SiO2 について
界面 について
欠陥 について
第一原理 について
研究 について
二重結合 について
飽和 について