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J-GLOBAL ID：201802285298997930   整理番号：18A0822728

InGaAsトリゲートMOSFETにおける特定チャネル表面のトラップ分布を決定する方法【JST・京大機械翻訳】

A Method for Determining Trap Distributions of Specific Channel Surfaces in InGaAs Tri-Gate MOSFETs

著者 (5件)： Netsu Seiko (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Hellenbrand Markus (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Lund, Sweden) ,  Zota Cezar B. (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Lund, Sweden) ,  Miyamoto Yasuyuki (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Lind Erik (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Lund, Sweden)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 6  ページ： 408-412  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マルチゲートMOSFETにおける各表面上のトラップ分布を推定する方法を示した。上部表面と側壁トラップ分布を決定する種々のチャネル幅(25,60,および100nm)をもつInGaAs TriゲートMOSFETについてI-Vヒステリシス測定を行った。デバイスの全トラップ分布は,上部表面と側壁トラップ分布の線形結合として表すことができることを示した。その結果,上部InGaAs(100)表面の最小トラップ密度は{110}側壁のそれよりもほぼ一桁小さいことが分かった。これらの素子におけるチャネルを構成するナノワイヤはエッチングされるよりもむしろ選択的に再成長するので,異なるトラップ分布は二つの表面の比表面化学によって説明できる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヒステリシス ,  *チャネル ,  界面化学 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *MOSFET ,  ナノワイヤ
準シソーラス用語： 再成長 ,  トラップ密度 ,  線形結合 ,  チャネル幅 ,  MuGFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaAs ,  トリ ,  ゲート ,  MOSFET ,  チャネル ,  トラップ ,  分布