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J-GLOBAL ID:201802285440697109   整理番号:18A0504583

GaNとSiの異種半導体を混成させた宇宙用整流回路の開発

著者 (4件):
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巻: J100-C  号: 12  ページ: 561-568 (WEB ONLY)  発行年: 2017年12月01日 
JST資料番号: U0472A  ISSN: 1881-0217  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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宇宙機内センサネットワークシステムのオールワイアレス化を実現するために,異種半導体の混成技術(HySIC)を用いた整流回路の開発を行った。本研究の独自性は,窒化ガリウム(GaN)のショットキーダイオードとシリコン(Si)の整合回路を混成させた回路において,異種半導体間でエネルギー伝送とエネルギー整流を実現し,整流回路を開発したことである。GaNショットキーダイオードの直流(DC)及び高周波(RF)非線形計測を行い,非線形ダイオードモデルの構築を行った。そのモデルを基にして整合回路の設計と作製を行うことで,HySIC整流回路を開発した。この整流回路の寸法は3.9mm×9.5mmで,5.8GHzにおいて,入力パワー42.5dBmに対して10.3%のRF-DC変換効率を達成した。(著者抄録)
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分類 (3件):
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送電  ,  エネルギー変換一般  ,  整流器 
引用文献 (15件):
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